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IS61NLP12836B-250TQ

产品描述256K X 18 ZBT SRAM, 3.1 ns, PQFP100
产品类别存储   
文件大小425KB,共29页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS61NLP12836B-250TQ概述

256K X 18 ZBT SRAM, 3.1 ns, PQFP100

256K × 18 ZBT 静态随机存储器, 3.1 ns, PQFP100

IS61NLP12836B-250TQ规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量100
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.46 V
最小供电/工作电压3.14 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间3.1 ns
加工封装描述LEAD FREE, TQFP-100
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLATPACK, LOW PROFILE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.6500 mm
端子涂层MATTE TIN
端子位置QUAD
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度18
组织256K X 18
存储密度4.72E6 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数262144 words
位数256K
内存IC类型ZBT SRAM
串行并行PARALLEL

 
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