1N6511: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 65V V(RWM), Unidirectional, 7 Element, Silicon, CERAMIC, DIP-14; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小34KB，共3页; 制造商Linfinity Microelectronics

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1N6511概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 65V V(RWM), Unidirectional, 7 Element, Silicon, CERAMIC, DIP-14

1N6511规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Linfinity Microelectronics
包装说明	CERAMIC, DIP-14
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY
配置	SEPARATE, 7 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	R-CDIP-T14
JESD-609代码	e0
元件数量	7
端子数量	14
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.4 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	65 V
最大反向电流	0.025 µA
最大反向恢复时间	0.005 µs
反向测试电压	20 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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SG6100/SG6511

SG6101/SG6510

DIODE ARRAY CIRCUITS

DESCRIPTION

The SG6100/SG6511 and SG6101/SG6510 diode arrays are monolithic,

high breakdown, fast switching speed diode arrays. The SG6100/SG6511

is configured with 7 straight through diodes, while the SG6101/SG6510 has

8 straight through diodes.

These two diode array configurations allow the designer maximum flexibility

for circuit design and board layout. Since each diode within the array has

individual anode and cathode connections the device may be used in a

variety of applications. Also, due to the array's monolithic construction the

diode electrical parameters are very closely matched.

Both devices are available in ceramic DIP and flatpack and can be processed

to Linfinity's S level, JANTXV, JANTX, or JAN equivalent flows.

FEATURES

•

75V minimum breakdown voltage

100mA current capability per diode

Switching speeds less than 5ns

Low leakage current < 25nA

HIGH RELIABILITY FEATURES

♦

MIL-S-19500/474 QPL - 1N6100

- 1N6101

- 1N6510

- 1N6511

♦

Equivalent JANS, JANTXV, JANTX, JAN

screening available

CIRCUIT DIAGRAMS

7 - STRAIGHT THROUGH DIODES

SG6100/SG6511

8 - STRAIGHT THROUGH DIODES

SG6101/SG6510

6/91 Rev 1.1 2/94

1994

11861 Western Avenue

∞

Garden Grove, CA 92841

(714) 898-8121

∞

FAX: (714) 893-2570

INFINITY

Microelectronics Inc.

1N6511相似产品对比

	1N6511	1N6510	SG6100F	SG6101J	SG6510F	SG6511J	1N6100	1N6101
描述	Trans Voltage Suppressor Diode, 65V V(RWM), Unidirectional, 7 Element, Silicon, CERAMIC, DIP-14	Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, 65V V(RRM), Silicon, CERAMIC, FP-16	Rectifier Diode, 7 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, CERAMIC, FP-14	Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, CERAMIC, DIP-16	Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, CERAMIC, FP-16	Rectifier Diode, 7 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, CERAMIC, DIP-14	Rectifier Diode, 7 Element, 0.3A, 65V V(RRM), Silicon, CERAMIC, FP-14	Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, 65V V(RRM), Silicon, CERAMIC, DIP-16
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Linfinity Microelectronics	Linfinity Microelectronics	Linfinity Microelectronics	Linfinity Microelectronics	Linfinity Microelectronics	Linfinity Microelectronics	Linfinity Microelectronics	Linfinity Microelectronics
包装说明	CERAMIC, DIP-14	CERAMIC, FP-16	CERAMIC, FP-14	CERAMIC, DIP-16	CERAMIC, FP-16	CERAMIC, DIP-14	CERAMIC, FP-14	CERAMIC, DIP-16
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
配置	SEPARATE, 7 ELEMENTS	SEPARATE, 8 ELEMENTS	SEPARATE, 7 ELEMENTS	SEPARATE, 8 ELEMENTS	SEPARATE, 8 ELEMENTS	SEPARATE, 7 ELEMENTS	SEPARATE, 7 ELEMENTS	SEPARATE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
JESD-30 代码	R-CDIP-T14	R-CDFP-F16	R-CDFP-F14	R-CDIP-T16	R-CDFP-F16	R-CDIP-T14	R-CDFP-F14	R-CDIP-T16
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	7	8	7	8	8	7	7	8
端子数量	14	16	14	16	16	14	14	16
最高工作温度	175 °C	175 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	FLATPACK	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	65 V	65 V	75 V	75 V	75 V	75 V	65 V	65 V
最大反向电流	0.025 µA	0.025 µA	0.025 µA	0.025 µA	0.025 µA	0.025 µA	0.025 µA	0.025 µA
最大反向恢复时间	0.005 µs	0.005 µs	0.005 µs	0.005 µs	0.005 µs	0.005 µs	0.005 µs	0.005 µs
反向测试电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	YES	NO	YES	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	FLAT	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
最大功率耗散	0.4 W	0.4 W	-	-	0.3 W	-	0.4 W	0.4 W
最大输出电流	-	0.3 A	0.3 A	0.3 A	0.3 A	0.3 A	0.3 A	0.3 A

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