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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> ZVN2110ASTOB
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ZVN2110ASTOB

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小56KB，共3页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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ZVN2110ASTOB在线购买

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ZVN2110ASTOB概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

ZVN2110ASTOB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)0.32 A
最大漏源导通电阻4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 100 Volt V
DS
* R
DS(on)
= 4Ω
ZVN2110A
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T
amb
=25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
100
320
6
±
20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Drain-Source Breakdown
Voltage
Gate-Source Threshold
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
Forward Transconductance
(1)(2)
Input Capacitance (2)
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
SYMBOL MIN.
BV
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
I
D(on)
R
DS(on)
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
250
75
25
8
7
8
13
13
1.5
4
100
0.8
2.4
20
1
100
MAX.
UNIT CONDITIONS.
V
V
nA
µA
µA
A
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
I
D
=1A
V
DS
=25 V, V
GS
=0V, f=1MHz
I
D
=1mA, V
GS
=0V
ID=1mA, V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0
V
DS
=80V, V
GS
=0V, T=125°C
(2)
V
DS
=25V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=1A
V
DS
=25V,I
D
=1A
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle
≤2%
(2) Sample test
(3) Switching times measured with 50
Ω
source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

ZVN2110ASTOB相似产品对比

ZVN2110ASTOB GRM1552C1E5R4BA01 ZVN2110ASTOA
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Chip Multilayer Ceramic Capacitors for General Purpose Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors - Zetex Semiconductors
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-W3 - IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code not_compliant - not_compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99
Is Samacsys N - N
配置 SINGLE - SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V - 100 V
最大漏极电流 (ID) 0.32 A - 0.32 A
最大漏源导通电阻 4 Ω - 4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-W3 - R-PSIP-W3
JESD-609代码 e3 - e3
湿度敏感等级 1 - 1
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C - 200 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 - 260
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO - NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - 40
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
Base Number Matches 1 - 1

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