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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> JANTX1N4153-1
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JANTX1N4153-1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB，共2页
制造商Compensated Devices Inc
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JANTX1N4153-1在线购买

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JANTX1N4153-1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2

JANTX1N4153-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
包装说明GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.15 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/337H
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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• 1N4153 and 1N4153-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX,
AND
JANTXV
PER MIL-PRF-19500/337
• SWITCHING DIODES
• HERMETICALLY SEALED
• METALLURGICALLY BONDED
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
1N4153
and
1N4153-1
MAXIMUM RATINGS
Junction Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Operating Current: 150 mA @ TA = +25°C
Derating: 1.0 mA dc/°C Above TA = +25°C
Forward Surge Current: 2A (pk), (tp = 1µs); 0.25A (pk), (tp = 1s)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
Type
V BR
V RWM
I R1
VR = 50 V dc
IR = 5 µA
V dc
V (pk)
TA = 25°C
nA dc
1 R2
VR = 50 V dc
TA = 150°C
µA dc
pF
C
VR = 0; f = 1 Mhz;
trr
IF = IR = 10 mA dc
RL = 100 ohms
ns
FIGURE 1
1N4153-1
75
50
50
50
2.0
4
FORWARD VOLTAGE LIMITS – ALL TYPES
V F1
Limits
I F = 100 µA dc
V F2
I F = 250 µA dc
V F3
I F = 1 mA dc
V F4
I F = 2 mA dc
V F5
I F = 10 mA dc
V F6
I F = 20 mA dc
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed
glass case per MIL-S-19500/337
D0-35 outline
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel.
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE:
(ROJL):
250 ˚C/W maximum at L = .375
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 70
˚C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
MOUNTING POSITION:
Any.
V dc
minimum
maximum
0.49
0.55
V dc
0.53
0.59
V dc
0.59
0.67
V dc
0.62
0.70
V dc
0.70
0.81
V dc
0.74
0.88
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com

JANTX1N4153-1相似产品对比

JANTX1N4153-1 JANTXV1N4153-1 JAN1N4153-1 JANTX1N4153 JAN1N4153 JANTXV1N4153
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最大输出电流 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/337H MIL-19500/337H MIL-19500/337H MIL-19500/337 MIL-19500/337 MIL-19500/337
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -

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