SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY,XBAND, MIXER DIODE, BEAM LEAD PACKAGE-2
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | R-CUMW-N2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 3 V |
配置 | SINGLE |
最大二极管电容 | 0.2 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | MIXER DIODE |
频带 | X BAND |
JESD-30 代码 | R-CUMW-N2 |
最大噪声指数 | 6.5 dB |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROWAVE |
脉冲输入最大功率 | 0.075 W |
脉冲输入功率最小值 | 1 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
肖特基势垒类型 | MEDIUM BARRIER |
Base Number Matches | 1 |
MA40134 | MA40136 | |
---|---|---|
描述 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY,XBAND, MIXER DIODE, BEAM LEAD PACKAGE-2 | SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY,XBAND, MIXER DIODE, BEAM LEAD PACKAGE-2 |
包装说明 | R-CUMW-N2 | R-CUMW-N2 |
针数 | 2 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最小击穿电压 | 3 V | 5 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最大二极管电容 | 0.2 pF | 0.2 pF |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | MIXER DIODE | MIXER DIODE |
频带 | X BAND | X BAND |
JESD-30 代码 | R-CUMW-N2 | R-CUMW-N2 |
最大噪声指数 | 6.5 dB | 6.5 dB |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROWAVE | MICROWAVE |
脉冲输入最大功率 | 0.075 W | 0.075 W |
脉冲输入功率最小值 | 1 W | 1 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | SCHOTTKY | SCHOTTKY |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | UPPER | UPPER |
肖特基势垒类型 | MEDIUM BARRIER | HIGH BARRIER |
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