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W-DWN110-12

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小200KB,共2页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
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W-DWN110-12概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER

W-DWN110-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明X-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码X-XUUC-N
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流3800 A
元件数量1
相数1
最大输出电流157 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间35
Base Number Matches1
stm32操作fm25c64,读不到数据
spi初始化:SPI_InitStructure.SPI_Direction=SPI_Direction_2Lines_FullDuplex;SPI_InitStructure.SPI_Mode=SPI_Mode_Master;SPI_InitStructure.SPI_DataSize=SPI_DataSize_8b;SPI_InitSt ......
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