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HB56U472E-5: 产品描述EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小409KB，共28页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56U472E-5概述

EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168

HB56U472E-5规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	301989888 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	NO
最大待机电流	0.082 A
最大压摆率	1.684 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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HB56U472E Series

4,194,304-word

72-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-715A (Z)

Rev. 1.0

Jan. 27, 1997

Description

The HB56U472E belongs to 8 Byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been developed

as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor applications. The HB56U472E is a 4M

72 dynamic RAM module, mounted 18 pieces of 16-Mbit DRAM (HM5116405) sealed in TSOP package

and 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver (74ABT16244) sealed in TSSOP package. The HB56U472E

offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of the HB56U472E

is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB56U472E makes high density mounting

possible without surface mount technology. The HB56U472E provides common data inputs and outputs.

Decoupling capacitors are mounted on the module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)



Outline: 133.35 mm (Length)

25.40 mm (Height)

4.00 mm (Thickness)



Lead pitch: 1.27 mm

•

Single 5 V (±5%) supply

•

High speed



Access time: t

RAC

= 50/60/70 ns (max)

CAC

= 18/20/23 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 8.84/7.90/6.95 W (max)



Standby mode (TTL): 525 mW (max)

(CMOS): 431 mW (max)

•

Buffered input except

RAS

and DQ

•

4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)

•

JEDEC standard outline buffered 8-byte DIMM

•

EDO page mode capability

•

4,096 refresh cycles: 64 ms

•

2 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh

•

TTL compatible

HB56U472E-5相似产品对比

	HB56U472E-5	HB56U472E-6	HB56U472E-7
描述	EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168	EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns	60 ns	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	168	168	168
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX72	4MX72	4MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096
自我刷新	NO	NO	NO
最大待机电流	0.082 A	0.082 A	0.082 A
最大压摆率	1.684 mA	1.504 mA	1.324 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	-

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