K4S281632C,K4S281632C pdf中文资料,K4S281632C引脚图,K4S281632C电路-Datasheet-电子工程世界

K4S281632C: 产品描述8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54; 产品类别存储; 文件大小49KB，共9页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4S281632C概述

8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54

K4S281632C规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	54
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V
最小供电/工作电压	3 V
额定供电电压	3.3 V
最小存取时间	6 ns
加工封装描述	0.400 × 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
状态	DISCONTINUED
工艺	CMOS
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.8000 mm
端子涂层	锡铅
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	16
组织	8M × 16
存储密度	1.34E8 deg
操作模式	同步
位数	8.39E6 words
位数	8M
存取方式	四 BANK PAGE BURST
内存IC类型	同步动态随机存取存储器
端口数	1

K4S281632C相似产品对比

	K4S281632C	K4S281632C-TI	K4S281632C-TI1H	K4S281632C-TI1L	K4S281632C-TI75	K4S281632C-TP	K4S281632C-TP1H	K4S281632C-TP1L	K4S281632C-TP75
描述	8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54	8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54	8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54	8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54	8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54	8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54	8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54	8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54	8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	54	54	54	54	54
表面贴装	Yes	Yes	YES	YES	YES	Yes	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	双	双	DUAL	DUAL	DUAL	双	DUAL	DUAL	DUAL
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16
组织	8M × 16	8M × 16	8MX16	8MX16	8MX16	8M × 16	8MX16	8MX16	8MX16
是否Rohs认证	-	-	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	-	-	TSOP2	TSOP2	TSOP2	-	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	-	-	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	-	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数	-	-	54	54	54	-	54	54	54
Reach Compliance Code	-	-	unknow	unknow	unknow	-	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
Is Samacsys	-	-	N	N	N	-	N	N	N
访问模式	-	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	-	-	6 ns	6 ns	5.4 ns	-	6 ns	6 ns	5.4 ns
其他特性	-	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	-	-	100 MHz	100 MHz	133 MHz	-	100 MHz	100 MHz	133 MHz
I/O 类型	-	-	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	-	-	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	-	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	-	-	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	-	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
JESD-609代码	-	-	e0	e0	e0	-	e0	e0	e0
长度	-	-	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	-	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	-	-	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi	-	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi
内存集成电路类型	-	-	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	-	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
端口数量	-	-	1	1	1	-	1	1	1
字数	-	-	8388608 words	8388608 words	8388608 words	-	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	-	-	8000000	8000000	8000000	-	8000000	8000000	8000000
工作模式	-	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	-	-	85 °C	85 °C	85 °C	-	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C
输出特性	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	-	-	TSOP2	TSOP2	TSOP2	-	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	-	-	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	-	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	-	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	-	-	4096	4096	4096	-	4096	4096	4096
座面最大高度	-	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	-	-	YES	YES	YES	-	YES	YES	YES
连续突发长度	-	-	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	-	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	-	-	0.001 A	0.001 A	0.001 A	-	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	-	-	0.21 mA	0.21 mA	0.22 mA	-	0.21 mA	0.21 mA	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)	-	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	-	-	3 V	3 V	3 V	-	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	-	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
技术	-	-	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距	-	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	-	-	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	-	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
Base Number Matches	-	-	1	1	1	-	1	1	1

K4S281632C

K4S281632C概述

K4S281632C规格参数

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