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CAT33C116SI-TE13

产品描述Memory IC
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文件大小252KB,共7页
制造商Catalyst
官网地址http://www.catalyst-semiconductor.com/
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CAT33C116SI-TE13概述

Memory IC

CAT33C116SI-TE13规格参数

参数名称属性值
厂商名称Catalyst
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

CAT33C116SI-TE13相似产品对比

CAT33C116SI-TE13 CAT33C116K CAT33C116K-TE13 CAT33C116S CAT33C116SI CAT33C116S-TE13 CAT33C116KI CAT33C116KI-TE13 CAT33C116P CAT33C116PI
描述 Memory IC EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.210 INCH, EIAJ, SOIC-8 Memory IC EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 Memory IC EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.210 INCH, EIAJ, SOIC-8 Memory IC EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
包装说明 , SOP, SOP8,.3 , SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 , SOP, SOP8,.3 , DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow unknow
厂商名称 Catalyst - - Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - - - -
是否无铅 - 含铅 - 含铅 含铅 - 含铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合 - 不符合 不符合
零件包装代码 - SOIC - SOIC SOIC - SOIC - DIP DIP
针数 - 8 - 8 8 - 8 - 8 8
ECCN代码 - EAR99 - EAR99 EAR99 - EAR99 - EAR99 EAR99
其他特性 - 3 WIRE INTERFACE - 3 WIRE INTERFACE 3 WIRE INTERFACE - 3 WIRE INTERFACE - 3 WIRE INTERFACE 3 WIRE INTERFACE
备用内存宽度 - 16 - 16 16 - 16 - 16 16
最大时钟频率 (fCLK) - 1 MHz - 1 MHz 1 MHz - 1 MHz - 1 MHz 1 MHz
数据保留时间-最小值 - 100 - 10 100 - 100 - 100 100
JESD-30 代码 - R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8 - R-PDIP-T8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 - e0 - e0 e0 - e0 - e0 e0
长度 - 5.3 mm - 4.9 mm 4.9 mm - 5.3 mm - 9.27 mm 9.27 mm
内存密度 - 16384 bit - 16384 bit 16384 bit - 16384 bit - 16384 bi 16384 bi
内存集成电路类型 - EEPROM - EEPROM EEPROM - EEPROM - EEPROM EEPROM
内存宽度 - 8 - 8 8 - 8 - 8 8
功能数量 - 1 - 1 1 - 1 - 1 1
端子数量 - 8 - 8 8 - 8 - 8 8
字数 - 2048 words - 2048 words 2048 words - 2048 words - 2048 words 2048 words
字数代码 - 2000 - 2000 2000 - 2000 - 2000 2000
工作模式 - SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 70 °C - 70 °C 85 °C - 85 °C - 70 °C 85 °C
组织 - 2KX8 - 2KX8 2KX8 - 2KX8 - 2KX8 2KX8
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - SOP - SOP SOP - SOP - DIP DIP
封装等效代码 - SOP8,.3 - SOP8,.25 SOP8,.25 - SOP8,.3 - DIP8,.3 DIP8,.3
封装形状 - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE - IN-LINE IN-LINE
并行/串行 - SERIAL - SERIAL SERIAL - SERIAL - SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 - 3 V - 3 V 3 V - 3 V - 3 V 3 V
认证状态 - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 2.03 mm - 1.75 mm 1.75 mm - 2.03 mm - 4.57 mm 4.57 mm
串行总线类型 - 3-WIRE - 3-WIRE 3-WIRE - 3-WIRE - 3-WIRE 3-WIRE
最大待机电流 - 0.00001 A - 0.00001 A 0.00001 A - 0.00001 A - 0.00001 A 0.00001 A
最大压摆率 - 0.002 mA - 0.002 mA 0.003 mA - 0.003 mA - 0.002 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) - 3.3 V - 3.3 V 3.3 V - 3.3 V - 3.3 V 3.3 V
最小供电电压 (Vsup) - 2.7 V - 2.7 V 2.7 V - 2.7 V - 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) - 3 V - 3 V 3 V - 3 V - 3 V 3 V
表面贴装 - YES - YES YES - YES - NO NO
技术 - CMOS - CMOS CMOS - CMOS - CMOS CMOS
温度等级 - COMMERCIAL - COMMERCIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL - COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - GULL WING - GULL WING GULL WING - GULL WING - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 - 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm - 1.27 mm - 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 - DUAL - DUAL DUAL - DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 - 5.25 mm - 3.9 mm 3.9 mm - 5.25 mm - 7.62 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) - 5 ms - 5 ms 5 ms - 5 ms - 5 ms 5 ms
写保护 - HARDWARE/SOFTWARE - HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE - HARDWARE/SOFTWARE - HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
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