HYM59256AP-80概述

Fast Page DRAM Module, 256KX9, 80ns, CMOS,

HYM59256AP-80规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
包装说明	, SIP30,.2
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	80 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-609代码	e0
内存密度	2359296 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	9
端子数量	30
字数	262144 words
字数代码	256000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	SIP30,.2
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	16.51 mm
最大待机电流	0.003 A
最大压摆率	0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE
Base Number Matches	1

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HYM59256AP-80相似产品对比

	HYM59256AP-80	HYM59256AP-10
描述	Fast Page DRAM Module, 256KX9, 80ns, CMOS,	Fast Page DRAM Module, 256KX9, 100ns, CMOS,
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
包装说明	, SIP30,.2	, SIP30,.2
Reach Compliance Code	compliant	compliant
最长访问时间	80 ns	100 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	2359296 bit	2359296 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	9	9
端子数量	30	30
字数	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	256KX9	256KX9
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	SIP30,.2	SIP30,.2
电源	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512
座面最大高度	16.51 mm	16.51 mm
最大待机电流	0.003 A	0.003 A
最大压摆率	0.2 mA	0.17 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE
Base Number Matches	1	1

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