HYM59256AP-10概述

Fast Page DRAM Module, 256KX9, 100ns, CMOS,

HYM59256AP-10规格参数

	HYM59256AP-10	HYM59256AP-80
描述	Fast Page DRAM Module, 256KX9, 100ns, CMOS,	Fast Page DRAM Module, 256KX9, 80ns, CMOS,
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
包装说明	, SIP30,.2	, SIP30,.2
Reach Compliance Code	compliant	compliant
最长访问时间	100 ns	80 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	2359296 bit	2359296 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	9	9
端子数量	30	30
字数	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	256KX9	256KX9
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	SIP30,.2	SIP30,.2
电源	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512
座面最大高度	16.51 mm	16.51 mm
最大待机电流	0.003 A	0.003 A
最大压摆率	0.17 mA	0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE
Base Number Matches	1	1

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W