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BUZ12AL-E3044

产品描述Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小158KB,共7页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ12AL-E3044概述

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN

BUZ12AL-E3044规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
零件包装代码TO-220AB
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)41 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)42 A
最大漏源导通电阻0.035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)450 pF
JESD-30 代码R-PSSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)168 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)550 ns
最大开启时间(吨)300 ns
Base Number Matches1

BUZ12AL-E3044相似产品对比

BUZ12AL-E3044 BUZ12AL-E3046 BUZ12AL-E3045
描述 Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN
厂商名称 SIEMENS SIEMENS SIEMENS
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas) 41 mJ 41 mJ 41 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 42 A 42 A 42 A
最大漏源导通电阻 0.035 Ω 0.035 Ω 0.035 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 450 pF 450 pF 450 pF
JESD-30 代码 R-PSSO-G3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 125 W 125 W 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 168 A 168 A 168 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO YES
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 550 ns 550 ns 550 ns
最大开启时间(吨) 300 ns 300 ns 300 ns
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