SKM100GAL121D,SKM100GAL121D pdf中文资料,SKM100GAL121D引脚图,SKM100GAL121D电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SKM100GAL121D

SKM100GAL121D: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小323KB，共8页; 制造商SEMIKRON; 官网地址http://www.semikron.com

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SKM100GAL121D概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

SKM100GAL121D规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SEMIKRON
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	100 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值	6.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-PUFM-X7
元件数量	1
端子数量	7
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	625 W
最大功率耗散 (Abs)	625 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	350 ns
标称接通时间 (ton)	100 ns
VCEsat-Max	4 V
Base Number Matches	1

SKM100GAL121D相似产品对比

	SKM100GAL121D	SKM100GB122D	SKM100GAR121D	SKM100GB121D	SKM100GAR122D	SKM100GAL101D	SKM100GB101D	SKM100GAR101D
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel,	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	100 A	100 A	100 A	100 A	100 A	100 A	100 A	100 A
集电极-发射极最大电压	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V	1000 V	1000 V	1000 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值	6.5 V	6.5 V	6.5 V	6.5 V	6.5 V	6.5 V	6.5 V	6.5 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
JESD-30 代码	R-PUFM-X7	R-PUFM-X7	R-PUFM-X7	R-PUFM-X7	R-PUFM-X7	R-PUFM-X7	R-PUFM-X7	R-PUFM-X7
元件数量	1	2	1	2	1	1	2	1
端子数量	7	7	7	7	7	7	7	7
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	625 W	1250 W	625 W	1250 W	625 W	625 W	1250 W	625 W
最大功率耗散 (Abs)	625 W	625 W	625 W	625 W	625 W	625 W	625 W	625 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
晶体管应用	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	350 ns	350 ns	350 ns	350 ns	350 ns	350 ns	350 ns	350 ns
标称接通时间 (ton)	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns
VCEsat-Max	4 V	4 V	4 V	4 V	4 V	4 V	4 V	4 V
厂商名称	SEMIKRON	-	-	-	SEMIKRON	SEMIKRON	SEMIKRON	SEMIKRON

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