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HY62UF16201LLM-12I

产品描述Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
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制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62UF16201LLM-12I概述

Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

HY62UF16201LLM-12I规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e1
长度9.25 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度6.7 mm
Base Number Matches1

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HY62UF16201 Series
128Kx16bit full CMOS SRAM
PRELIMINARY
DESCRIPTION
The HY62UF16201 is a high speed, low power
and 2M bit full CMOS SRAM organized as
131,072 words by 16bit. The HY62UF16201 uses
high performance full CMOS process technology
and designed for high speed low power circuit
technology. It is particularly well suited for used in
high density low power system application. This
device has a data retention mode that guarantees
data to remain valid at a minimum power supply
voltage of 1.5V.
FEATURES
Fully static operation and Tri-state output
TTL compatible inputs and outputs
Battery backup(LL-part)
- 1.5V(min) data retention
Standard pin configuration
- 48ball uBGA
Product
Voltage
Speed
Operation
Standby Current(uA)
No.
(V)
(ns)
Current(mA)
LL-part
HY62UF16201
3.0
85/100/120
15
15
HY62UF16201-I
3.0
85/100/120
15
15
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Normal : Normal Temperature
2. Current value is max.
Temperature
(°C)
0~70(Normal)
-40~85(E.T.)
PIN CONNECTION
( Top View )
ADD INPUT
BUFFER
A1,A2
A4, A6~A7
BLOCK DIAGRAM
ROW
DECODER
/LB
/OE A0
A1
A4
A6
A7
A2
NC
A9
A12
A15~A16
A8
A10
PRE-DECODER
COLUMN
DECODER
IO9 /UB A3
IO10 IO11 A5
Vss IO12 NC
Vcc IO13 NC
/CS IO1
IO2 IO3
IO4 Vcc
SENSE AMP
I/O1
ADD INPUT
BUFFER
A13
A14
A0
A3
A5
ADD INPUT
BUFFER
A16 IO5 Vss
BLOCK
DECODER
MEMORY ARRAY
512x128x32
WRITE DRIVER
OUTPUT
BUFFER
I/O8
I/O9
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7
IO16 NC
NC
A8
A12 A13 /WE IO8
A9
A10 A11 NC
I/O16
A11
/CS
/OE
/LB
/UB
/WE
PIN DESCRIPTION
Pin Name
/CS
/WE
/OE
/LB
/UB
Pin Funtion
Chip Select
Write Enable
Output Enable
Lower Byte Control(I/O1~I/O8)
Upper Byte Control(I/O9~I/O16)
Pin Name
I/O1~I/O16
A0~A16
Vcc
Vss
NC
Pin Funtion
Data Input/Output
Address Input
Power(2.7V ~ 3.3V)
Ground
No Connection
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev.03 /Mar.99
Hyundai Semiconductor

HY62UF16201LLM-12I相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 Thermal magnetic UL 489 miniature circuit breakers Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) - SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA - BGA BGA BGA
包装说明 VFBGA, VFBGA, - VFBGA, VFBGA, VFBGA,
针数 48 48 - 48 48 48
Reach Compliance Code unknown unknown - unknown unknown compli
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 120 ns 120 ns - 85 ns 85 ns 100 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 - R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e1 e1 - e1 e1 -
长度 9.25 mm 9.25 mm - 9.25 mm 9.25 mm 9.25 mm
内存密度 2097152 bit 2097152 bit - 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 - 16 16 16
功能数量 1 1 - 1 1 1
端子数量 48 48 - 48 48 48
字数 131072 words 131072 words - 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 - 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C - 70 °C 85 °C 70 °C
组织 128KX16 128KX16 - 128KX16 128KX16 128KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA VFBGA - VFBGA VFBGA VFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH - GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.95 mm 0.95 mm - 0.95 mm 0.95 mm 0.95 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V - 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V - 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES - YES YES YES
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER - TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER -
端子形式 BALL BALL - BALL BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm - 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 6.7 mm 6.7 mm - 6.7 mm 6.7 mm 6.7 mm
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