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CDP1879C-1EX

产品描述Timer or RTC, Volatile, CMOS, PDIP24
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小957KB,共16页
制造商RCA
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CDP1879C-1EX概述

Timer or RTC, Volatile, CMOS, PDIP24

CDP1879C-1EX规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称RCA
包装说明DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Codeunknown
信息访问方法PARALLEL
中断能力Y
JESD-30 代码R-PDIP-T24
JESD-609代码e0
端子数量24
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
标称供电电压5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
最短时间SECONDS
易失性YES
Base Number Matches1

文档解析

CDP1879和CDP1879C-1是CMOS制造的实时时钟(Real-Time Clock)芯片,它们具有一些功耗管理的特点,这些特点有助于在不同的应用场景中优化能耗。以下是关于这两个芯片在功耗管理方面的一些主要特点:

  1. 低待机(时间保持)电压:CDP1879和CDP1879C-1能够在较低的电压下进行时间保持(timekeeping)操作。这意味着即使在电源电压较低时,芯片仍然能够维持对时间的记录。

  2. 电源电压范围:CDP1879的推荐工作电压范围是4到10.5伏特,而CDP1879C-1的推荐工作电压范围是4到6.5伏特。这表明CDP1879C-1设计用于较低的电压范围,可能有助于降低功耗。

  3. 电源功耗:在最大额定值部分提到,CDP1879和CDP1879C-1的每个封装类型的功耗分别为±10mA。这表明芯片在最大功耗条件下的能耗水平。

  4. 动态功耗:在动态电气特性部分,提到了读周期时间和写周期时间,这些时间与芯片在执行读/写操作时的功耗有关。较短的周期时间可能意味着较低的动态功耗。

  5. 电源关闭模式:CDP1879和CDP1879C-1具有电源关闭模式(PowerDown mode),在该模式下,芯片的功耗会显著降低,适用于需要低功耗的应用场景。

  6. 中断输出激活:芯片的中断输出可以由时钟输出或报警电路激活,这可以在某些条件下唤醒系统,从而在不活动时期降低功耗。

  7. 外部时钟源:使用外部32kHz时钟源,可以在低电压下进行时间保持,进一步降低功耗。

  8. 透明“冻结”电路:在进行计数器和锁存器访问时,透明“冻结”电路可以确保在计数器和锁存器访问期间时钟不会发生滚转,这有助于在访问期间保持功耗稳定。

这些特点使得CDP1879和CDP1879C-1在需要低功耗的实时时钟应用中非常有用,例如在电池供电的设备或需要长时间运行而不需要频繁唤醒的系统中。

CDP1879C-1EX相似产品对比

CDP1879C-1EX CDP1879C-1D CDP1879C-1E CDP1879C-1DX CDP1879E CDP1879EX CDP1879D CDP1879D/4 CDP1879D/3W
描述 Timer or RTC, Volatile, CMOS, PDIP24 Timer or RTC, Volatile, CMOS, CDIP24 Timer or RTC, Volatile, CMOS, PDIP24 Timer or RTC, Volatile, CMOS, CDIP24 Timer or RTC, Volatile, CMOS, PDIP24, Timer or RTC, Volatile, CMOS, PDIP24, Timer or RTC, Volatile, CMOS, CDIP24 Timer or RTC, Volatile, CMOS, CDIP24 Timer or RTC, Volatile, CMOS, CDIP24
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 RCA RCA RCA RCA RCA RCA RCA RCA RCA
包装说明 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
信息访问方法 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
中断能力 Y Y Y Y Y Y Y Y Y
JESD-30 代码 R-PDIP-T24 R-XDIP-T24 R-PDIP-T24 R-XDIP-T24 R-PDIP-T24 R-PDIP-T24 R-XDIP-T24 R-XDIP-T24 R-XDIP-T24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
端子数量 24 24 24 24 24 24 24 24 24
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC PLASTIC/EPOXY CERAMIC PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5/10 V 5/10 V 5/10 V 5/10 V 5/10 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
最短时间 SECONDS SECONDS SECONDS SECONDS SECONDS SECONDS SECONDS SECONDS SECONDS
易失性 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
认证状态 - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
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