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DF2B6.8FS,L3PVTF(T

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小125KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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DF2B6.8FS,L3PVTF(T概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

DF2B6.8FS,L3PVTF(T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大击穿电压7.8 V
最小击穿电压5.8 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.15 W
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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DF2B6.8FS
TOSHIBA Diodes for Protecting against ESD
DF2B6.8FS
Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD)
*This product is for protection against electrostatic discharge (ESD) only
and is not intended for any other usage, including without limitation,
the constant voltage diode application.
CATHODE MARK
Unit in mm
0.6±0.05
0.1
A
Characteristic
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
P
T
j
T
stg
Rating
150*
150
−55
to 150
Unit
mW
°C
°C
0.1
0.07
M
A
0.2
±0.05
0.8±0.05
0.1±0.05
*: Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 mm × 20 mm,
pad dimension of 4 mm × 4 mm.
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/
“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.
reliability test report and estimated failure rate, etc).
0.48
+0.02
-0.03
fSC
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 0.6 mg (typ.)
1-1L1A
Pad Dimension (Reference)
0.85
0.26
0.21
Unit : mm
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Reverse stand-off voltage
Reverse breakdown voltage
Reverse current
Total capacitance
Symbol
V
RWM
V
R
I
R
C
T
I
R
= 1 mA
V
RWM
= 5 V
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
Test Condition
Min
5.8
Typ.
6.8
15
Max
5.0
7.8
0.5
Unit
V
V
μA
pF
1
2009-02-26
1.0±0.05
Abusolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)

DF2B6.8FS,L3PVTF(T相似产品对比

DF2B6.8FS,L3PVTF(T DF2B6.8FS,L3F(T
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大击穿电压 7.8 V 7.8 V
最小击穿电压 5.8 V 5.8 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性 BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.15 W 0.15 W
最大重复峰值反向电压 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 FLAT FLAT
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