Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> GS8662Q07BD-300T

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GS8662Q07BD-300T: 产品描述DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小390KB，共28页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS8662Q07BD-300T概述

DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

GS8662Q07BD-300T规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	300 MHz
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	165
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.255 A
最小待机电流	1.7 V
最大压摆率	0.85 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

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GS8662Q07/10/19/37BD-357/333/300/250/200

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

Features

• 2.0 Clock Latency

• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Dual Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte Write (BW),

and Clock (K, K) inputs

• Burst of 2 Read and Write

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

• Pipelined read operation

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• Data Valid Pin (QVLD) Support

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 13 mm x 15 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

72Mb SigmaQuad-II+

Burst of 2 SRAM

357 MHz–200 MHz

1.8 V V

1.8 V and 1.5 V I/O

are just one element in a family of low power, low voltage

HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to

implement economical high performance networking systems.

Clocking and Addressing Schemes

The GS8662Q07/10/19/37BD SigmaQuad-II+ SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer.

Each internal read and write operation in a SigmaQuad-II+ B2

RAM is two times wider than the device I/O bus. An input data

bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data before

it is simultaneously written to the memory array. An output

data multiplexer is used to capture the data produced from a

single memory array read and then route it to the appropriate

output drivers as needed. Therefore the address field of a

SigmaQuad-II+ B2 RAM is always one address pin less than

the advertised index depth (e.g., the 8M x 8 has an 4M

addressable index).

SigmaQuad™ Family Overview

The GS8662Q07/10/19/37BD are built in compliance with the

SigmaQuad-II+ SRAM pinout standard for Separate I/O

synchronous SRAMs. They are 75,497,472-bit (72Mb)

SRAMs. The GS8662Q07/10/19/37BD SigmaQuad SRAMs

Parameter Synopsis

-357

tKHKH

tKHQV

2.8 ns

0.45 ns

-333

3.0 ns

0.45 ns

-300

3.3 ns

0.45 ns

-250

4.0 ns

0.45 ns

-200

5.0 ns

0.45 ns

Rev: 1.02b 11/2011

1/28

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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