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HY27SF161G2M-TPIB: 产品描述Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48; 产品类别存储存储; 文件大小473KB，共48页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HY27SF161G2M-TPIB概述

Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48

HY27SF161G2M-TPIB规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	30 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e6
长度	18.4 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	1K
端子数量	48
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	1K words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	64K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
切换位	NO
类型	NAND TYPE
宽度	12 mm
Base Number Matches	1

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Preliminary

HY27UF(08/16)1G2M Series

HY27SF(08/16)1G2M Series

1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash

Document Title

1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory

Revision History

Revision

No.

0.0

1) Initial Draft.

1) Correct Fig.10 Sequential out cycle after read

2) Add the text to Fig.1, Table.1, Table.2

- text : IO15 - IO8 (x16 only)

3) Delete ‘3.2 Page program NOTE 1.

- Note : if possible it is better to remove this constrain

4) Change the text ( page 10,13, 45)

- 2.2 Address Input : 28 Addresses -> 27 Addresses

- 3.7 Reset : Fig.29 -> Fig.30

- 5.1 Automatic page read after power up : Fig.30 -> Fig.29

5) Add 5.3 Addressing for program operation & Fig.34

1) Change TSOP, WSOP, FBGA package dimension & figures.

- Change TSOP, WSOP, FBGA package mechanical data

- Change FBGA thickness (1.2 -> 1.0 mm)

2) Correct TSOP, WSOP Pin configurations.

- 38th NC pin has been changed Lockpre(figure

3,4)

3) Edit figure 15,19 & table 4

4) Add Bad Block Management

5) Change Device Identifier 3rd Byte

- 3rd Byte ID is changed. (reserved -> don't care)

- 3rd Byte ID table is deleted.

1) Add Errata

tCLS

Specification

Relaxed value

tCLH

tWP

tALS

tALH

tDS

tWC

History

Draft Date

Aug. 2004

Remark

Preliminary

0.1

Sep. 2004

Preliminary

0.2

Oct. 2004

Preliminary

0.3

0.4

2) LOCKPRE is changed to PRE.

- Texts, Table, Figures are changed.

3) Add Note.4 (table.14)

4) Block Lock Mechanism is deleted.

- Texts, Table, figures are deleted.

5) Add Application Note(Power-On/Off Sequence & Auto Sleep mode.)

- Texts & Figures are added.

6) Edit the figures. (#10~25)

1) Change AC characteristics(tREH)

before: 20ns -> after: 30ns

2) Edit Note.1 (page. 21)

3) Edit the Application note 1,2

4) Edit The Address cycle map (x8, x16)

Nov.29 2004

Preliminary

Jan.19 2005

Preliminary

Rev 0.7 / Apr. 2005

Preliminary

HY27UF(08/16)1G2M Series

HY27SF(08/16)1G2M Series

1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash

1. SUMMARY DESCRIPTION

The HYNIX HY27(U/S)F(08/16)1G2M series is a 128Mx8bit with spare 4Mx8 bit capacity. The device is offered in 1.8V

Vcc Power Supply and in 3.3V Vcc Power Supply.

Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market.

The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old

data is erased.

The device contains 1024 blocks, composed by 64 pages consisting in two NAND structures of 32 series connected

Flash cells.

A program operation allows to write the 2112-byte page in typical 300us and an erase operation can be performed in

typical 2ms on a 128K-byte(X8 device) block.

Data in the page mode can be read out at 60ns

(1)

cycle time per word. The I/O pins serve as the ports for address and

data input/output as well as command input. This interface allows a reduced pin count and easy migration towards dif-

ferent densities, without any rearrangement of footprint.

Commands, Data and Addresses are synchronously introduced using CE#, WE#, ALE and CLE input pin.

The on-chip Program/Erase Controller automates all program and erase functions including pulse repetition, where

required, and internal verification and margining of data.

The modifying can be locked using the WP# input pin.

The output pin RB# (open drain buffer) signals the status of the device during each operation. In a system with mul-

tiple memories the RB# pins can be connected all together to provide a global status signal.

Even the write-intensive systems can take advantage of the HY27(U/S)F(08/16)1G2M extended reliability of 100K pro-

gram/erase cycles by providing ECC (Error Correcting Code) with real time mapping-out algorithm.

Optionally the chip could be offered with the CE# don’t care function. This option allows the direct download of the

code from the NAND Flash memory device by a microcontroller, since the CE# transitions do not stop the read opera-

tion.

The copy back function allows the optimization of defective blocks management: when a page program operation fails

the data can be directly programmed in another page inside the same array section without the time consuming serial

data insertion phase.

The cache program feature allows the data insertion in the cache register while the data register is copied into the

flash array. This pipelined program operation improves the program throughput when long files are written inside the

memory.

A cache read feature is also implemented. This feature allows to dramatically improve the read throughput when con-

secutive pages have to be streamed out.

This device includes also extra features like OTP/Unique ID area, Automatic Read at Power Up, Read ID2 extension.

The HYNIX HY27(U/S)F(08/16)1G2M series is available in 48 - TSOP1 12 x 20 mm , 48 - WSOP1 12 x 17 mm,

FBGA 9.5 x 12 mm.

1.1 Product List

PART NUMBER

HY27SF081G2M

HY27SF161G2M

HY27UF081G2M

HY27UF161G2M

ORIZATION

x16

VCC RANGE

1.70 - 1.95 Volt

63FBGA / 48TSOP1 / 48WSOP1

2.7V - 3.6 Volt

PACKAGE

NOTE:

1. This parameters is applied to the errata.

Rev 0.7 / Apr. 2005

HY27SF161G2M-TPIB相似产品对比

	HY27SF161G2M-TPIB	HY27SF161G2M-TPEP	HY27SF161G2M-TPEB	HY27SF161G2M-TPIS	HY27SF161G2M-TPES	HY27SF161G2M-TPCS	HY27SF161G2M-TPCB	HY27SF161G2M-TPCP	HY27SF161G2M-TCB
描述	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48	Flash, 64MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1
包装说明	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数	48	48	48	48	48	48	48	48	48
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A
最长访问时间	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns
命令用户界面	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
数据轮询	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
JESD-30 代码	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e6	e6	e6	e6	e6	e6	e6	e6	e0
长度	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
部门数/规模	1K	1K	1K	1K	1K	1K	1K	1K	1K
端子数量	48	48	48	48	48	48	48	48	48
字数	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-25 °C	-25 °C	-40 °C	-25 °C	-	-	-	-
组织	64MX16	64MX16	64MX16	64MX16	64MX16	64MX16	64MX16	64MX16	64MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1
封装等效代码	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	1K words	1K words	1K words	1K words	1K words	1K words	1K words	1K words	1K words
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
编程电压	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
部门规模	64K	64K	64K	64K	64K	64K	64K	64K	64K
最大待机电流	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A
最大压摆率	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	OTHER	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20	20	NOT SPECIFIED
切换位	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
类型	NAND TYPE	NAND TYPE	NAND TYPE	NAND TYPE	NAND TYPE	NAND TYPE	NAND TYPE	NAND TYPE	NAND TYPE
宽度	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1

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电动车自燃的诱因基本上分为三种：第一种，碰撞事故而导致电池组件受到穿刺等致命的伤害，部分电池电解液与负极发生反应，随之正极和电解质都会发生分解，从而导致大规模短路并造成热失控起火燃烧；第二种，诱因则是外部温度过高或者电池组内部出现散热问题导致自燃，这里面一般对于温控系统有关，温控系统故障导致过热而产生自燃情况。最后一种，则是化学诱因，这与此前某品牌手机出现大规模爆炸的原理类似，都是由...[详细]
半桥逆变器是啥意思，立即切换模式

半桥是将DC转换为交流的逆变器拓扑之一。典型半桥电路由两个控制器组成开关，3线DC电源，两条反馈二极管以及连接负载和源极的两个电容器。控制开关可以是任意的电子开关即MOSFET，双极晶体管、IJBT或半导体闸流管等。半桥逆变器是什么意思? 电路设计成两个开关不能同时接通&两个开关中只有一个会导通。每个开关将工作半个周期(T/2)，向负载提供施加电压的一半(V哥伦比亚特区/2).当两个开关都...[详细]
逆变器换向分类技巧，通过设备获得

根据换向技术，可控硅整流器主要分为两种主要类型。线路换向和强制换向逆变器被普遍使用，而其他换向逆变器，即辅助换向逆变器和互补换向逆变器不被普遍使用。这里简要讨论两种主要类型。逆变器换向分类方法 1.线路换向在这些类型的逆变器中，交流电路的线电压可以通过设备获得;当电流通过时，这个装置就关闭了教员公用室体验零特性。这种换向过程被称为线换向，而根据这种原理工作的逆变器被称为线换向逆变器。...[详细]
麦格纳推出集成式舱内感知系统：将摄像头与雷达融合用于舱内主动安全

麦格纳推出的集成式舱内感知系统将视觉与毫米波雷达数据融合，用于检测乘员存在、识别儿童滞留、监测驾驶员疲劳及生命体征，支持无接触安全带检测等功能。图片来源：麦格纳该系统通过多模态验证提升检测鲁棒性，可直接响应法规要求（例如儿童滞留报警）并与车载HVAC、座椅和安全控制单元联动，实现出车前的自动巡检与离车提醒。该类集成方案特别适配家庭化MPV、带自动驾驶功能的大型商用车以及共享出行业务...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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