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CY7C268-50DMB

产品描述OTP ROM, 8KX8, 75ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32
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文件大小428KB,共13页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C268-50DMB概述

OTP ROM, 8KX8, 75ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32

CY7C268-50DMB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码DIP
包装说明0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间75 ns
其他特性DIAGNOSTIC PROM
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T32
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.12 A
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

CY7C268-50DMB相似产品对比

CY7C268-50DMB CY7C268-40WC CY7C268-50LMB CY7C268-50WMB
描述 OTP ROM, 8KX8, 75ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 UVPROM, 8KX8, 60ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32 OTP ROM, 8KX8, 75ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 UVPROM, 8KX8, 75ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码 DIP DIP QFJ DIP
包装说明 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32 QCCN, LCC32,.45X.55 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32
针数 32 32 32 32
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 75 ns 60 ns 75 ns 75 ns
其他特性 DIAGNOSTIC PROM DIAGNOSTIC PROM DIAGNOSTIC PROM DIAGNOSTIC PROM
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-GDIP-T32 R-GDIP-T32 R-CQCC-N32 R-GDIP-T32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 OTP ROM UVPROM OTP ROM UVPROM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP QCCN DIP
封装等效代码 DIP32,.6 DIP32,.6 LCC32,.45X.55 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 225 NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.12 A 0.1 A 0.12 A 0.12 A
最大压摆率 0.12 mA 0.1 mA 0.12 mA 0.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B - 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
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