EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, TSOP2-50
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | SOP, |
| 针数 | 50 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 60 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G50 |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 50 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
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