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HYM5V64834ASLTZG-60

产品描述EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
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制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYM5V64834ASLTZG-60概述

EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144

HYM5V64834ASLTZG-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM144,32
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.0024 A
最大压摆率0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HYM5V64804A Z-Series
SO DIMM 8Mx64 bit CMOS DRAM MODULE
based on 8Mx8 DRAM, EDO, 3.3V, 4K/8K-Refresh
DESCRIPTION
The HYM5V64804A Z-Series is a 8Mx64-bit EDO mode CMOS DRAM module consisting of eight 8Mx8
TSOP and one 2048-bit EEPROM on a 144 pin glass-epoxy printed circuit board. 0.1µF and 0.01µF
decoupling capacitors are mounted for each DRAM. The HYM5V64804AZ G-series is gold plated socket
type Dual In-line Memory Module suitable for easy interchange and addition of 64M byte memory.
FEATURES
Max. Active Power Dissipation
Speed
50
60
8K
3.17W
2.59W
4K
4.03W
3.46W
Single power supply of 3.3V
±
10%
Read-Modify-Write Capability
LVTTL compatible inputs and outputs
/CAS-before-/RAS, /RAS-only, Hidden
and Self refresh capability
Refresh cycles
tHPC
25ns
30ns
Part No.
HYM5V64804A Z-Series
HYM5V64834A Z-Series
Ref.
4K
8K£
ª
Fast access time and cycle time
Speed
50
60
tRAC
50ns
60ns
tCAC
13ns
15ns
144-Pin SO DIMM
Serial Presence Detect with EEPROM
Extended Data Out Operation
£ ª
/CAS-before-/RAS refresh, Hidden refresh
mode : 4K cycles / 64ms
PIN DISCRIPTION
/RAS0
/CAS0-CAS7,
/WE
/OE
A0 -A12
A0 -A11
DQ0-DQ63
SCL
SDA
VCC
VSS
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Output Enable
Address Input(8K Product)
Address Input(4K Product)
Data Input / Output
Serial PD Clock Input
Serial PD Data Input/Output
Power (+3.3V)
Ground
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume
any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev.04 / May.98
©1998
Hyundai Semiconductor

HYM5V64834ASLTZG-60相似产品对比

HYM5V64834ASLTZG-60 HYM5V64804ASLTZG-50 HYM5V64804ASLTZG-60 HYM5V64834ASLTZG-50 HYM5V64834ATZG-50 HYM5V64834ATZG-60 HYM5V64804ATZG-50 HYM5V64804ATZG-60
描述 EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144 EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144 EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144 EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144 EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144 EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144 EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144 EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE
针数 144 144 144 144 144 144 144 144
Reach Compliance Code compliant unknown unknown compliant compliant compliant unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 50 ns 60 ns 50 ns 50 ns 60 ns 50 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144 144 144 144 144
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
自我刷新 YES YES YES YES NO NO - -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - -
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