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HY5PS1G831F-C4

产品描述DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68, FBGA-68
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文件大小551KB,共33页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5PS1G831F-C4概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68, FBGA-68

HY5PS1G831F-C4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA68,9X19,32
针数68
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)267 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B68
长度20.9 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量68
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织128MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA68,9X19,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.9 mm
Base Number Matches1

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HY5PS1G431(L)F
HY5PS1G831(L)F
1Gb DDR2 SDRAM
HY5PS1G431(L)F
HY5PS1G831(L)F
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume
any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 1.0 / Feb. 2005
1

HY5PS1G831F-C4相似产品对比

HY5PS1G831F-C4 HY5PS1G431F-C4
描述 DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68, FBGA-68 DDR DRAM, 256MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA68, FBGA-68
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA68,9X19,32 TFBGA, BGA68,9X19,32
针数 68 68
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.5 ns 0.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 267 MHz 267 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B68 R-PBGA-B68
长度 20.9 mm 20.9 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 8 4
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 68 68
字数 134217728 words 268435456 words
字数代码 128000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
组织 128MX8 256MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA68,9X19,32 BGA68,9X19,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES
连续突发长度 4,8 4,8
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 11.9 mm 11.9 mm
Base Number Matches 1 1
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