WE512K8-250CQ,WE512K8-250CQ pdf中文资料,WE512K8-250CQ引脚图,WE512K8-250CQ电路-Datasheet-电子工程世界

WE512K8-250CQ: 产品描述EEPROM Module, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小678KB，共13页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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WE512K8-250CQ概述

EEPROM Module, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	250 ns
其他特性	AUTOMATIC WRITE
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
JESD-609代码	e4
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	EEPROM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
Base Number Matches	1

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