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RJL5014DPK

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
文件大小69KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJL5014DPK概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RJL5014DPK
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1798-0100
Rev.1.00
Jun 30, 2009
Features
Built-in fast recovery diode
Low on-resistance
Low leakage current
High speed switching
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A
(Package name:TO-3P)
D
G
1. Gate
2. Drain (Flange)
3. Source
S
1
2
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
µs,
duty cycle
1 %
2. Value at Tc = 25°C
3. STch = 25°C, Tch
150°C
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)
I
DR
Note1
I
DR (pulse)
Note3
I
AP
Note3
E
AR
Pch
Note2
θch-c
Tch
Tstg
Note1
Ratings
500
±30
19
57
19
57
4
0.88
150
0.833
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
REJ03G1798-0100 Rev.1.00 Jun 30, 2009
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