CY14B104L-ZSP20XCT,CY14B104L-ZSP20XCT pdf中文资料,CY14B104L-ZSP20XCT引脚图,CY14B104L-ZSP20XCT电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> CY14B104L-ZSP20XCT

CY14B104L-ZSP20XCT: 产品描述256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PDSO44; 产品类别存储; 文件大小626KB，共25页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY14B104L-ZSP20XCT概述

256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PDSO44

256K × 16 非易失性存储器, 25 ns, PDSO44

CY14B104L-ZSP20XCT规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	44
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V
最小供电/工作电压	2.7 V
额定供电电压	3 V
最大存取时间	25 ns
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.8000 mm
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	16
组织	256K X 16
存储密度	4.19E6 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	262144 words
位数	256K
内存IC类型	NON-VOLATILE SRAM
串行并行	PARALLEL

CY14B104L-ZSP20XCT相似产品对比

	CY14B104L-ZSP20XCT	CY14B104L-ZSP20XIT	CY14B104L-ZSP20XI	CY14B104L_09	CY14B104N-ZSP20XCT
描述	256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PDSO44	256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PDSO44	256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PDSO44	256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PDSO44	256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PDSO44
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	44	44	44	44	54
最大工作温度	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	-
最小工作温度	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-
最大供电/工作电压	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-
最小供电/工作电压	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	-
额定供电电压	3 V	3 V	3 V	3 V	-
最大存取时间	25 ns	25 ns	25 ns	25 ns	-
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, TSOP2-44	ROHS COMPLIANT, TSOP2-44	ROHS COMPLIANT, TSOP2-44	ROHS COMPLIANT, TSOP2-44	-
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	-
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子间距	0.8000 mm	0.8000 mm	0.8000 mm	0.8000 mm	-
端子涂层	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
内存宽度	16	16	16	16	16
组织	256K X 16	256K X 16	256K X 16	256K X 16	256KX16
存储密度	4.19E6 deg	4.19E6 deg	4.19E6 deg	4.19E6 deg	-
操作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-
位数	256K	256K	256K	256K	-
内存IC类型	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	-
串行并行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-

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