Hyper Mini SIDELED
®
Hyper-Bright LED
LB C873, LV C873, LT C873
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
•
Gehäusetyp:
weißes SMT Gehäuse
•
Besonderheit des Bauteils:
kleine Bauform
mit extrem breiter Abstrahlcharakteristik; ideal
für Einkopplungen in Lichtleiter
•
Wellenlänge:
470 nm (blau), 505 nm (verde),
528 nm (true green)
•
Abstrahlwinkel:
Lambertscher Strahler (120°)
•
Technologie:
InGaN
•
optischer Wirkungsgrad:
2 lm/W (blau),
6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green)
•
Gruppierungsparameter:
Lichtstärke
•
Verarbeitungsmethode:
für alle
SMT-Bestücktechniken geeignet
•
Lötmethode:
IR Reflow Löten
•
Vorbehandlung:
nach JEDEC Level 2
•
Gurtung:
8 mm Gurt mit 2000/Rolle, ø180 mm
oder 8000/Rolle, ø330 mm
•
ESD-Festigkeit:
ESD-sicher bis 2 kV nach
MIL STD 883 D, Method 3015.7
Anwendungen
• Signalindikatoren
• Hinterleuchtung (LCD, Handy, Schalter,
Tasten, Displays, Werbebeleuchtung,
Allgemeinbeleuchtung)
• Einkopplung in Lichtleiter
Features
•
package:
white SMT package
•
feature of the device:
small package with
extremely wide viewing angle; ideal for coupling
in light guides
•
wavelength:
470 nm (blue), 505 nm (verde),
528 nm (true green)
•
viewing angle:
Lambertian Emitter (120°)
•
technology:
InGaN
•
optical efficiency:
2 lm/W (blue),
6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green)
•
grouping parameter:
luminous intensity
•
assembly methods:
suitable for all
SMT assembly methods
•
soldering methods:
IR reflow soldering
•
preconditioning:
acc. to JEDEC Level 2
•
taping:
8 mm tape with 2000/reel, ø180 mm
or 8000/reel, ø330 mm
•
ESD-withstand voltage:
up to 2 kV acc. to
MIL STD 883 D, Method 3015.7
Applications
• signaling applications
• backlighting (LCD, cellular phones, switches,
keys, displays, illuminated advertising,
general lighting)
• coupling into light guides
2000-03-01
1
OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Typ
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
Light Emitting
Area
colorless clear
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Type
Luminous
Intensity
I
F
= 20 mA
I
V
(mcd)
11.2 ...
18.0 ...
11.2 ...
14.0 ...
18.0 ...
22.4 ...
28.0 ...
28.0 ...
45.0 ...
28.0 ...
35.5 ...
45.0 ...
56.0 ...
71.0 ...
22.4
35.5
14.0
18.0
22.4
28.0
35.5
56.0
90.0
35.5
45.0
56.0
71.0
90.0
Luminous
Flux
I
F
= 20 mA
Φ
V
(mlm)
50.4 (typ.)
80.3 (typ.)
37.8 (typ.)
48.0 (typ.)
60.6 (typ.)
75.6 (typ.)
95.3 (typ.)
126.0 (typ.)
202.5 (typ.)
95.3 (typ.)
120.8 (typ.)
151.5 (typ.)
190.5 (typ.)
241.5 (typ.)
159.8 (typ.)
252.0 (typ.)
120.8 (typ.)
151.5 (typ.)
190.5 (typ.)
241.5 (typ.)
303.0 (typ.)
Ordering Code
LB C873-L1M1-1
LB C873-M1N1-1
LB C873-L1
LB C873-L2
LB C873-M1
LB C873-M2
LB C873-N1
LV C873-N1P1-1
LV C873-P1Q1-1
LV C873-N1
LV C873-N2
LV C873-P1
LV C873-P2
LV C873-Q1
LT C873-N2P2-1
LT C873-P2Q2-1
LT C873-N2
LT C873-P1
LT C873-P2
LT C873-Q1
LT C873-Q2
blue
on request
on request
verde
colorless clear
on request
on request
true green
colorless clear
35.5 ... 71.0
56.0 ... 112.0
35.5 ... 45.0
45.0 ... 56.0
56.0 ... 71.0
71.0 ... 90.0
90.0 ... 112.0
on request
on request
Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ±11 %
ermittelt.
Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of ±11 %.
-1 Farbselektiert nach Wellenlängengruppen (siehe Seite 4).
-1 Color selection acc. to Wavelength groups (see page 4).
2000-03-01
2
OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µ
s,
D
= 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Leistungsaufnahme
Power dissipation
T
A
≤
25 °C
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 … + 100
– 40 … + 100
+ 125
20
t.b.d.
Einheit
Unit
°C
°C
°C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
5
85
V
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
th JA
Sperrschicht/Umgebung
Junction/ambient
R
th JS
Sperrschicht/Lötpad
Junction/solder point
Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße
≥
16 mm
2
)
mounted on PC board FR 4 (pad size
≥
16 mm
2
)
530
250
K/W
K/W
2000-03-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Kennwerte
(
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
1)
Dominant wavelength
1)
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
I
F
= 20 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 20 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
Temperature coefficient of
λ
peak
I
F
= 20 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
Temperature coefficient of
λ
dom
I
F
= 20 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
Temperature coefficient of
V
F
I
F
= 20 mA
Optischer Wirkungsgrad
Optical efficiency
I
F
= 20 mA
1)
Symbol
Symbol
LB
(typ.)
Werte
Values
LV
503
LT
523
465
Einheit
Unit
nm
λ
peak
λ
dom
∆λ
2
ϕ
(typ.)
470
±7
25
505
±8
30
528
± 10
33
nm
(typ.)
nm
(typ.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
120
3.5
4.2
0.01
10
0.04
120
3.3
4.2
0.01
10
0.03
120
3.3
4.2
0.01
10
0.04
Grad
deg.
V
V
V
F
V
F
I
R
I
R
TC
λpeak
TC
λdom
TC
V
η
opt
µ
A
µ
A
nm/K
(typ.)
0.02
0.02
0.03
nm/K
(typ.)
– 2.9
– 3.2
– 3.6
mV/K
(typ.)
2
6
8
lm/W
Wellenlängengruppen / Wavelength groups
blue
min.
464
468
472
verde
true green
max.
525
531
537
4
Gruppe
Group
3
4
5
2000-03-01
max. min.
468
472
476
498
503
507
max. min.
503
507
512
519
525
531
Wellenlängengruppen werden mit einer
Stromeinprägedauer von 25 ms und einer
Genauigkeit von ±1 nm ermittelt.
Wavelength groups are tested at a current
pulse duration of 25 ms and an accuracy of ±1
nm.
OPTO SEMICONDUCTORS
LB C873, LV C873, LT C873
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
λ
),
T
A
= 25 °C,
I
F
= 20 mA
Relative Spectral Emission
V(
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
OHL00492
I
rel
%
80
V
λ
60
blue
verde
true green
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
ϕ
)
Radiation Characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL01660
ϕ
1.0
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
2000-03-01
0
0.8
0.6
0.4
0˚
5
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
OPTO SEMICONDUCTORS
嵌入式系统
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