LM358D放大器基础信息：
LM358D是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为SOP, SOP8,.25
LM358D放大器核心信息：
LM358D的最低工作温度是，最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.25 µA他的最大平均偏置电流为0.5 µA
厂商给出的LM358D的最大压摆率为2 mA.其最小电压增益为15000。
LM358D的标称供电电压为5 V。LM358D的输入失调电压为9000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LM358D的相关尺寸：
LM358D的宽度为：3.9 mm，长度为4.9 mmLM358D拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：8
LM358D放大器其他信息：
LM358D采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。LM358D的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：COMMERCIAL。LM358D不符合Rohs认证。
其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-PDSO-G8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LM358D的封装代码是：SOP。LM358D封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为RECTANGULAR。LM358D封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。其端子形式有：GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。
LM358D放大器基础信息：
LM358D是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为SOP, SOP8,.25
LM358D放大器核心信息：
LM358D的最低工作温度是，最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.25 µA他的最大平均偏置电流为0.5 µA
厂商给出的LM358D的最大压摆率为2 mA.其最小电压增益为15000。
LM358D的标称供电电压为5 V。LM358D的输入失调电压为9000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LM358D的相关尺寸：
LM358D的宽度为：3.9 mm，长度为4.9 mmLM358D拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：8
LM358D放大器其他信息：
LM358D采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。LM358D的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：COMMERCIAL。LM358D不符合Rohs认证。
其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-PDSO-G8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LM358D的封装代码是：SOP。LM358D封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为RECTANGULAR。LM358D封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。其端子形式有：GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.5 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.25 µA |
| 标称共模抑制比 | 100 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 9000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 最大压摆率 | 2 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 最小电压增益 | 15000 |
| 宽度 | 3.9 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| LM358D | LM358N | |
|---|---|---|
| 描述 | Operational Amplifier, 2 Func, 9000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, SOP-8 | Operational Amplifier, 2 Func, 9000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP8, DIP-8 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | SOIC | DIP |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.5 µA | 0.5 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.25 µA | 0.25 µA |
| 标称共模抑制比 | 100 dB | 100 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 9000 µV | 9000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 4.9 mm | 9.2 mm |
| 低-失调 | NO | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | DIP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-1.5/+-15/3/30 V | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 4.55 mm |
| 最大压摆率 | 2 mA | 2 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最小电压增益 | 15000 | 15000 |
| 宽度 | 3.9 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
| 器件名 | 厂商 | 描述 |
|---|---|---|
| LM358DR2G | ON Semiconductor(安森美) | Op Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC N T/R |
| LM358D | ST(意法半导体) | Op Amp Dual Low Power Amplifier ±15V/30V 8-Pin SO N Tube |
| LM358DR2 | Rochester Electronics | DUAL OP-AMP, 7000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8 |
| LM358M/NOPB | Texas Instruments(德州仪器) | Low Power Dual Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| LM358MX/NOPB | Texas Instruments(德州仪器) | Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin SOIC T/R |
| LM358DG | ON Semiconductor(安森美) | Operational Amplifiers - Op Amps 3-32V Dual Lo PWR Commercial Temp |
| LM358MX | ON Semiconductor(安森美) | IC OPAMP GP 8SOIC |
| KA358D | Fairchild | Operational Amplifiers - Op Amps DISC BY MFG 7/03 |
| KA358DTF | ON Semiconductor(安森美) | 增益带宽积（GBP）：- 放大器组数：2 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：- 电源电压：3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V |
| LM358M | ON Semiconductor(安森美) | IC OPAMP GP 8SOIC |
| LM358N/NOPB | Texas Instruments(德州仪器) | Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin PDIP Tube |
| LM358SNG | ON Semiconductor(安森美) | Operational Amplifiers - Op Amps ANA LO PWR 2CH OP AMP |
| KA358 | ON Semiconductor(安森美) | 增益带宽积（GBP）：- 放大器组数：2 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：- 电源电压：3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V |
| LM358NG | ON Semiconductor(安森美) | 增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：2 运放类型：General Purpose 各通道功耗：1.5mA 压摆率（SR）：0.6 V/us 电源电压：3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V 双运算放大器，LM358 DIP8封装，LM Series 0.6 V/us 32 V Single Supply Quad Operational Amplifier - PDIP-8 |
| LM358N | ON Semiconductor(安森美) | 增益带宽积（GBP）：1MHz 放大器组数：2 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：0.6 V/us 电源电压：3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V |
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