Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CY7C1471V33-100BZXI

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CY7C1471V33-100BZXI: 产品描述ZBT SRAM, 2MX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小375KB，共30页; 制造商Cypress(赛普拉斯); 标准

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CY7C1471V33-100BZXI概述

ZBT SRAM, 2MX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165

CY7C1471V33-100BZXI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA,
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	8.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1
长度	17 mm
内存密度	75497472 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2MX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	15 mm
Base Number Matches	1

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CY7C1471V33

CY7C1473V33

CY7C1475V33

72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through

SRAM with NoBL™ Architecture

Features

• No Bus Latency™ (NoBL™) architecture eliminates

dead cycles between write and read cycles.

• Can support up to 133-MHz bus operations with zero

wait states

• Data is transferred on every clock

• Pin compatible and functionally equivalent to ZBT™

devices

• Internally self-timed output buffer control to eliminate

the need to use OE

• Registered inputs for flow-through operation

• Byte Write capability

• 3.3V/2.5V I/O power supply

• Fast clock-to-output times

— 6.5 ns (for 133-MHz device)

— 8.5 ns (for 100-MHz device)

• Clock Enable (CEN) pin to enable clock and suspend

operation

• Synchronous self-timed writes

• Asynchronous Output Enable

• Offered in JEDEC-standard lead-free 100 TQFP, and

165-ball fBGA packages for CY7C1471V33 and

CY7C1473V33. Lead-free 209-ball fBGA package for

CY7C1475V33.

• Three chip enables for simple depth expansion.

• Automatic Power-down feature available using ZZ

mode or CE deselect.

• JTAG boundary scan for BGA and fBGA packages

• Burst Capability—linear or interleaved burst order

• Low standby power

Functional Description

[1]

The CY7C1471V33, CY7C1473V33 and CY7C1475V33 are

3.3V, 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Synchronous Flow-through

Burst SRAMs designed specifically to support unlimited true

back-to-back Read/Write operations without the insertion of

wait states. The CY7C1471V33, CY7C1473V33 and

CY7C1475V33 are equipped with the advanced No Bus

Latency (NoBL) logic required to enable consecutive

Read/Write operations with data being transferred on every

clock cycle. This feature dramatically improves the throughput

of data through the SRAM, especially in systems that require

frequent Write-Read transitions.

All synchronous inputs pass through input registers controlled

by the rising edge of the clock. The clock input is qualified by

the Clock Enable (CEN) signal, which when deasserted

suspends operation and extends the previous clock cycle.

Maximum access delay from the clock rise is 6.5 ns (133-MHz

device).

Write operations are controlled by the two or four Byte Write

Select (BW

) and a Write Enable (WE) input. All writes are

conducted with on-chip synchronous self-timed write circuitry.

Three synchronous Chip Enables (CE

, CE

) and an

asynchronous Output Enable (OE) provide for easy bank

selection and output tri-state control. In order to avoid bus

contention, the output drivers are synchronously tri-stated

during the data portion of a write sequence.

Selection Guide

133 MHz

Maximum Access Time

Maximum Operating Current

Maximum CMOS Standby Current

6.5

335

150

100 MHz

8.5

305

150

Unit

Note:

1. For best-practices recommendations, please refer to the Cypress application note

System Design Guidelines

on www.cypress.com.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 38-05288 Rev. *G

•

3901 North First Street

•

San Jose

CA 95134

•

408-943-2600

Revised March 10, 2005

CY7C1471V33-100BZXI相似产品对比

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描述	ZBT SRAM, 2MX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165	ZBT SRAM, 2MX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165	ZBT SRAM, 1MX72, 8.5ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, FBGA-209	ZBT SRAM, 4MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165	ZBT SRAM, 1MX72, 8.5ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-209	ZBT SRAM, 2MX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 4MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 4MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	符合	符合	符合	符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	QFP	QFP	BGA
包装说明	LBGA,	15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165	14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, FBGA-209	LBGA,	BGA,	LQFP,	LQFP,	15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
针数	165	165	209	165	209	100	100	165
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	8.5 ns	8.5 ns	8.5 ns	8.5 ns	8.5 ns	8.5 ns	8.5 ns	8.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B209	R-PBGA-B165	R-PBGA-B209	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1	e0	e0	e1	e1	e3	e3	e0
长度	17 mm	17 mm	22 mm	17 mm	22 mm	20 mm	20 mm	17 mm
内存密度	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	36	36	72	18	72	36	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	209	165	209	100	100	165
字数	2097152 words	2097152 words	1048576 words	4194304 words	1048576 words	2097152 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	2000000	2000000	1000000	4000000	1000000	2000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	2MX36	2MX36	1MX72	4MX18	1MX72	2MX36	4MX18	4MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	BGA	LBGA	BGA	LQFP	LQFP	LBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	220	NOT SPECIFIED	260	260	260	260	220
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.96 mm	1.4 mm	1.96 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	0.65 mm	0.65 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	20	40	40	NOT SPECIFIED
宽度	15 mm	15 mm	14 mm	15 mm	14 mm	14 mm	14 mm	15 mm
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	-	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
湿度敏感等级	3	3	-	3	3	3	3	3

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