EDI8L32512C25AC,EDI8L32512C25AC pdf中文资料,EDI8L32512C25AC引脚图,EDI8L32512C25AC电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> EDI8L32512C25AC

EDI8L32512C25AC: 产品描述SRAM Module, 2MX8, 25ns, CMOS,; 产品类别存储存储; 文件大小732KB，共6页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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EDI8L32512C25AC概述

SRAM Module, 2MX8, 25ns, CMOS,

EDI8L32512C25AC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	25 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 512K X 32
备用内存宽度	16
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-XQMA-J68
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	68
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC68,1.0SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.12 A
最小待机电流	4.75 V
最大压摆率	0.76 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
Base Number Matches	1

EDI8L32512C25AC相似产品对比

	EDI8L32512C25AC	EDI8L32512C17AC	EDI8L32512C12AC	EDI8L32512C15AC	EDI8L32512C20AC
描述	SRAM Module, 2MX8, 25ns, CMOS,	SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, PQCC68,	SRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, PQCC68,	SRAM Module, 2MX8, 15ns, CMOS, PQCC68,	SRAM Module, 2MX8, 20ns, CMOS, PQCC68,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	25 ns	17 ns	12 ns	15 ns	20 ns
JESD-30 代码	S-XQMA-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68	S-PQCC-J68
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	8	32	32	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	68	68	68	68	68
字数	2097152 words	524288 words	524288 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	512000	512000	2000000	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	2MX8	512KX32	512KX32	2MX8	2MX8
封装主体材料	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
Base Number Matches	1	1	1	1	1
是否Rohs认证	不符合	-	-	不符合	不符合
其他特性	CONFIGURABLE AS 512K X 32	-	-	CONFIGURABLE AS 512K X 32	CONFIGURABLE AS 512K X 32
I/O 类型	COMMON	-	-	COMMON	COMMON
最高工作温度	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C
输出特性	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE
封装代码	QCCJ	-	-	QCCJ	QCCJ
封装等效代码	LDCC68,1.0SQ	-	-	LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ
电源	5 V	-	-	5 V	5 V
最大待机电流	0.12 A	-	-	0.12 A	0.12 A
最小待机电流	4.75 V	-	-	4.75 V	4.75 V
最大压摆率	0.76 mA	-	-	0.8 mA	0.76 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	-	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	-	4.75 V	4.75 V
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子节距	1.27 mm	-	-	1.27 mm	1.27 mm
厂商名称	-	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	-

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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