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TS4148RYGRBG

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小184KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TS4148RYGRBG概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon,

TS4148RYGRBG规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.5 W
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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CREAT BY ART
TS4148 RYG
Taiwan Semiconductor
Small Signal Product
500mW High Speed SMD Switching Diode
FEATURES
- Designed for mounting on small surface
- Extremely thin/leadless package
- High mounting capability, strong surage with stand,
high reliability
- Pb free and RoHS compliant
- Halogen free
MECHANICAL DATA
- Case: 0805 standard package, molded plastic
- Terminal: Gold plated, solderable per
MIL-STD-750, method 2026 guaranteed
- High temperature soldering guaranteed: 260
o
C/10s
- Polarity: Indicated by cathode band
- Weight: 0.006g (approximately)
0805
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Power dissipation
Non-repetitive peak reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
Repetitive peak forward current
Mean forward current
Non-repetitive peak forward surge current
Tp = 1sec square waveform
Tp = 8.3ms single half sine waveform
Thermal resistance form junction ambient
Junction and storage temperature range
PARAMETER
Reverse breakdown voltage
Forward voltage
Reverse leakage current
Junction capacitance
Reverse recovery time
(Note 2)
I
F
=100mA
V
R
=20V
V
R
=75V
V
R
=0, f=1.0MHz
(Note 3)
(Note 1)
SYMBOL
P
D
V
RSM
V
RRM
I
FRM
I
O
I
FSM
R
θJA
T
J
, T
STG
SYMBOL
V
(BR)
V
F
I
R
C
J
t
rr
MIN
-
-
-
-
VALUE
500
100
75
300
150
0.5
2.0
375
- 55 to + 175
MAX
75
1
25
5
4
4
℃/W
o
UNIT
mW
V
V
mA
mA
A
C
UNIT
V
V
nA
μA
pF
ns
Note: 1 Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
Note: 2 Test Condition: I
R
=100μA
Note: 3 Test Condition: I
F
=10mA, I
R
=1mA, R
L
=100Ω
Document Number: DS_S1407005
Version: K14

TS4148RYGRBG相似产品对比

TS4148RYGRBG TS4148RYG-C0RBG TS4148RYG-C0RYG TS4148RYGRYG
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-R2 R-PDSO-R2 R-PDSO-R2 R-PDSO-R2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W
最大重复峰值反向电压 75 V 75 V 75 V 75 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1
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