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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> TS50P05GX2
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TS50P05GX2

产品描述Bridge Rectifier Diode, 50A, 600V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小216KB，共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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TS50P05GX2概述

Bridge Rectifier Diode, 50A, 600V V(RRM),

TS50P05GX2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流50 A
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

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TS50P05G thru TS50P07G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- UL Recognized File # E-326243
- Glass passivated junction
- Ideal for printed circuit board
- Typical IR less than 0.1uA
- High surge current capability
- ESD capability PASS AEC-Q101 level H3B
- ESD capability PASS IEC6100-4-2 level 4
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Glass Passivated Bridge Rectifiers
TS-6P
MECHANICAL DATA
Case：TS-6P
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free, RoHS compliant
Terminal：Matte
tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity：Polarity
as marked on the body
Mounting torque：8.17
in-lbs maximum
Weight：7.15
gram (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Rating for fusing (t<8.3mS)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@ 25 A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical thermal resistance (Note 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1：Pulse test with PW=300u sec, 1% duty cycle
Note 2 : Mount on Heatsink size of 4" x 6" x 0.25" Al-Plate
T
J
=25
℃
T
J
=125℃
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
T
V
F
I
R
R
θJC
T
J
T
STG
TS50P05G
600
420
600
TS50P06G
800
560
800
50
400
664
1.1
10
500
3.7
- 55 to + 150
- 55 to + 150
O
TS50P07G
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
sec
V
uA
C/W
O
O
C
C
Document Number：DS_D1312012
Version:C13

TS50P05GX2相似产品对比

TS50P05GX2 TS50P05GX2G TS50P07GX2 TS50P07GX2G TS50P06GX2G TS50P06GX2
描述 Bridge Rectifier Diode, 50A, 600V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 50A, 600V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 50A, 1000V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 50A, 1000V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 50A, 800V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 50A, 800V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 400 A 400 A 400 A 400 A 400 A 400 A
元件数量 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
最大重复峰值反向电压 600 V 600 V 1000 V 1000 V 800 V 800 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
厂商名称 - - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor

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