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CMUDM7005TRTIN/LEAD

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小393KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMUDM7005TRTIN/LEAD概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

CMUDM7005TRTIN/LEAD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.65 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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CMUDM7005
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM7005
is an Enhancement-mode N-Channel MOSFET,
manufactured by the N-Channel DMOS Process,
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and
Low Theshold Voltage.
MARKING CODE: 5C7
SOT-523 CASE
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State - Note 1)
Continuous Source Current (Body Diode)
Maximum Pulsed Drain Current
Power Dissipation (Note 1)
Operating and Storage Junction Temperature
FEATURES:
ESD Protection up to 2kV
300mW Power Dissipation
Very Low rDS(ON)
Low Threshold Voltage
Logic Level Compatible
Small, SOT-523 Surface Mount Package
UNITS
V
V
mA
mA
A
mW
°C
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IS
IDM
PD
TJ, Tstg
20
8.0
650
280
1.3
300
-65 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IGSSF, IGSSR VGS=4.5V, VDS=0
IDSS
BVDSS
VGS(th)
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
Qg(tot)
Qgs
Qgd
VDS=16V, VGS=0
VGS=0, ID=250μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=0, IS=200mA
VGS=4.5V,
VGS=2.5V,
VGS=1.8V,
VGS=1.5V,
ID=600mA
ID=500mA
ID=350mA
ID=40mA
1.58
0.17
0.24
20
0.5
MAX
1.0
100
UNITS
μA
nA
V
1.1
1.1
0.14
0.2
0.23
0.275
0.7
9.5
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
nC
nC
nC
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=500mA
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=500mA
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=500mA
Notes: (1) Mounted on 2 inch square FR-4 PCB with copper mounting pad area of 1.13in
2
R3 (27-September 2011)

CMUDM7005TRTIN/LEAD相似产品对比

CMUDM7005TRTIN/LEAD CMUDM7005TRLEADFREE
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 不符合 符合
Reach Compliance Code unknown compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.65 A 0.65 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W
表面贴装 YES YES
Base Number Matches 1 1
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