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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLM7405TR
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CMLM7405TR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PICOMINI-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小580KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CMLM7405TR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PICOMINI-6

CMLM7405TR规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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CMLM7405
MULTI DISCRETE MODULE
™
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
LOW VCE(SAT) SILICON PNP TRANSISTOR
AND
LOW VF SILICON SCHOTTKY DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM7405 is a
single PNP Transistor and Schottky Diode packaged
in a space saving SOT-563 case is designed for small
signal general purpose applications where size and
operational efficiency are prime requirements.
• Complementary Device:
CMLM3405
• Combination High Current Low VCE(SAT)
Transistor and Low VF Schottky Diode.
SOT-563 CASE
MAXIMUM RATINGS - Case:
(TA=25°C)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
MAXIMUM RATINGS - Q1:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
MAXIMUM RATINGS - D1:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current, tp
≤1.0ms
Peak Forward Surge Current, tp= 8.0ms
ELECTRICAL
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
MARKING CODE: C57
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
SYMBOL
VRRM
IF
IFRM
IFSM
350
-65 to +150
357
UNITS
mW
°C
°C/W
UNITS
V
V
V
A
A
UNITS
V
mA
A
A
40
25
6.0
1.0
1.5
40
500
3.5
10
CHARACTERISTICS - Q1:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
VCB=40V
VEB=6.0V
IC=100µA
IC=10mA
IE=100µA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=100mA,
IC=200mA,
IC=500mA,
IC=800mA,
IB=10mA
IB=20mA
IB=50mA
IB=80mA
40
25
6.0
25
40
80
150
220
275
MAX
100
100
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
50
75
150
250
400
450
1.1
0.9
IC=1.0A, IB=100mA
IC=800mA, IB=80mA
VCE=1.0V, IC=10mA
R1 (18-January 2010)

CMLM7405TR相似产品对比

CMLM7405TR CMLM7405TRLEADFREE CMLM7405BK CMLM7405BKLEADFREE
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PICOMINI-6 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PICOMINI-6 Transistor
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最小直流电流增益 (hFE) 50 100 50 100
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz

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