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CMPT3019TR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPT3019TR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

CMPT3019TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量12 pF
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

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CMPT3019
NPN SILICON TRANSISTOR
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3019
type is an NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in
a surface mount package, designed for very
high current, general purpose amplifier
applications.
MARKING CODE: C3A
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
°C
°C/W
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
120
80
7.0
500
1.0
350
UNITS
V
V
V
mA
A
mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
NF
VCB=90V
VEB=5.0V
IC=100µA
IC=30mA
IE=100µA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=150mA, IB=15mA
VCE=10V, IC=0.1mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=10V, IC=150mA
VCE=10V, IC=500mA
VCE=10V, IC=50mA, f=1.0MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=10V, IC=100mA, RS=1kΩ, f=1.0kHz
120
80
7.0
MAX
10
10
UNITS
nA
nA
V
V
V
0.2
0.5
1.1
50
90
100
50
100
12
60
4.0
300
V
V
V
MHz
pF
pF
dB
R2 (13-November 2002)

CMPT3019TR相似产品对比

CMPT3019TR CMPT3019TRLEADFREE CMPT3019BKLEADFREE CMPT3019TR13LEADFREE CMPT3019TR13 CMPT3019BK
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 PLASTIC PACKAGE-3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
基于收集器的最大容量 12 pF 12 pF 12 pF 12 pF 12 pF 12 pF
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 50 50 50 50
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e3 e3 e3 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10 10 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W - - 0.35 W

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