General Purpose Transistors PNP Silicon
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | LRC |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 215 |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
表面贴装 | YES |
Base Number Matches | 1 |
LBCW70LT1G | LBCW69LT3G | LBCW69LT1G | |
---|---|---|---|
描述 | General Purpose Transistors PNP Silicon | General Purpose Transistors PNP Silicon | General Purpose Transistors PNP Silicon |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | LRC | LRC | LRC |
Reach Compliance Code | unknown | unknow | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
配置 | Single | Single | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 215 | 120 | 120 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | 0.3 W | 0.3 W |
表面贴装 | YES | YES | YES |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved