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LBCW69LT1G

产品描述General Purpose Transistors PNP Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小22KB,共1页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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LBCW69LT1G概述

General Purpose Transistors PNP Silicon

LBCW69LT1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)120
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
表面贴装YES

LBCW69LT1G相似产品对比

LBCW69LT1G LBCW69LT3G LBCW70LT1G
描述 General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 LRC LRC LRC
Reach Compliance Code unknow unknow unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 120 120 215
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W 0.3 W
表面贴装 YES YES YES
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