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SB420D

产品描述SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
文件大小122KB,共2页
制造商SEMTECH_ELEC
官网地址http://www.semtech.net.cn
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SB420D概述

SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

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SB420D
SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
for low power rectification
Features
Small surface mounting type.
High reliability.
3
1
2
SOT-23 Plastic Package
Marking
Marking Code:
FF
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Maximum Peak Reverse Voltage
DC Reverse Voltage
Mean Rectifying Current
Peak Forward Surge Current
1)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
1)
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
s
Value
40
40
0.1
1
125
-40 to +125
Unit
V
V
A
A
O
C
C
O
60Hz for 1
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Forward Voltage
at I
F
= 10mA
Reverse Current
at V
R
=10V
Capacitance Between Terminals
at V
R
=10V, f=1MHz
Symbol
V
F
Min
-
Typ
-
Max
0.45
Unit
V
I
R
-
-
1
µA
C
T
-
6
-
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
(Subsidiary
of Sino-Tech International Holdings Limited, a company
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)
®
Dated : 21/10/2005
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