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1N60SW

产品描述Schottky Barrier Diode
文件大小213KB,共3页
制造商SEMTECH_ELEC
官网地址http://www.semtech.net.cn
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1N60SW概述

Schottky Barrier Diode

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1N60PW, 1N60SW
Schottky Barrier Diode
PINNING
PIN
1
DESCRIPTION
Cathode
Anode
2
FEATURES
High reliability
Low forward voltage and reverse current
1
2
FM
Top View
Marking Code: 1N60PW: "FM"
1N60SW: "FN"
Simplified outline SOD-123 and symbol
APPLICATIONS
For electronic calculator, etc.
Low current rectification and high speed switching
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Peak Reverse Voltage
Reverse Voltage
Peak Forward Current
Average Rectified Output Current
Surge Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
surge
T
j
T
S
Value
45
10
150
50
500
125
-55 to +125
Unit
V
V
mA
mA
mA
O
C
C
O
Characteristics (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Forward Current
at V
F
= 1 V
Reverse Current
at V
R
= 10 V
1N60PW
1N60SW
Symbol
I
F
I
R
V
R
C
J
η
Min.
4
-
-
45
-
55
Max.
-
50
100
-
1
-
Unit
mA
µA
V
pF
%
Reverse Voltage
at I
R
= 100 µA
Junction Capacitance
at f = 1 MHz, V = -1 V
Rectification efficiency
at Vi = 2 Vrms, R = 5 KΩ, C = 20 pF, f = 40 MHz
Pair
Δ
I
F
6 mA at 1V,
Δ
I
R
20 µA at 10 V
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
®
(Subsidiary
of Sino-Tech International Holdings Limited, a company
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)
Dated : 07/04/2006

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