Dual-Port SRAM, 16KX16, 45ns, CMOS, CPGA84, PGA-84
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 包装说明 | PGA, PGA84M,11X11 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 最长访问时间 | 45 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-CPGA-P84 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 84 |
| 字数 | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 16KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | PGA |
| 封装等效代码 | PGA84M,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B |
| 最大待机电流 | 0.012 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.41 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| Base Number Matches | 1 |
| 7026L45GB | 7026L70GB | 7026L45G | 7026L45J | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Dual-Port SRAM, 16KX16, 45ns, CMOS, CPGA84, PGA-84 | Dual-Port SRAM, 16KX16, 70ns, CMOS, CPGA84, PGA-84 | Dual-Port SRAM, 16KX16, 45ns, CMOS, CPGA84, PGA-84 | Dual-Port SRAM, 16KX16, 45ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| 包装说明 | PGA, PGA84M,11X11 | PGA, PGA84M,11X11 | PGA, PGA84M,11X11 | QCCJ, LDCC84,1.2SQ |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 最长访问时间 | 45 ns | 70 ns | 45 ns | 45 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-CPGA-P84 | S-CPGA-P84 | S-CPGA-P84 | S-PQCC-J84 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 84 | 84 | 84 | 84 |
| 字数 | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 16KX16 | 16KX16 | 16KX16 | 16KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | PGA | PGA | PGA | QCCJ |
| 封装等效代码 | PGA84M,11X11 | PGA84M,11X11 | PGA84M,11X11 | LDCC84,1.2SQ |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 | 225 | 225 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.012 A | 0.012 A | 0.006 A | 0.006 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.41 mA | 0.395 mA | 0.35 mA | 0.35 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 | 30 |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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