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7026L45J

产品描述Dual-Port SRAM, 16KX16, 45ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
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文件大小1MB,共18页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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7026L45J概述

Dual-Port SRAM, 16KX16, 45ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84

7026L45J规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明QCCJ, LDCC84,1.2SQ
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J84
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量84
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC84,1.2SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.006 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

7026L45J相似产品对比

7026L45J 7026L70GB 7026L45GB 7026L45G
描述 Dual-Port SRAM, 16KX16, 45ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 Dual-Port SRAM, 16KX16, 70ns, CMOS, CPGA84, PGA-84 Dual-Port SRAM, 16KX16, 45ns, CMOS, CPGA84, PGA-84 Dual-Port SRAM, 16KX16, 45ns, CMOS, CPGA84, PGA-84
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
包装说明 QCCJ, LDCC84,1.2SQ PGA, PGA84M,11X11 PGA, PGA84M,11X11 PGA, PGA84M,11X11
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
最长访问时间 45 ns 70 ns 45 ns 45 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQCC-J84 S-CPGA-P84 S-CPGA-P84 S-CPGA-P84
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 84 84 84 84
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C
组织 16KX16 16KX16 16KX16 16KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QCCJ PGA PGA PGA
封装等效代码 LDCC84,1.2SQ PGA84M,11X11 PGA84M,11X11 PGA84M,11X11
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.006 A 0.012 A 0.012 A 0.006 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.35 mA 0.395 mA 0.41 mA 0.35 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
Base Number Matches 1 1 1 1
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