IRHM8Z60PBF,IRHM8Z60PBF pdf中文资料,IRHM8Z60PBF引脚图,IRHM8Z60PBF电路-Datasheet-电子工程世界

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IRHM8Z60PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小122KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRHM8Z60PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN

IRHM8Z60PBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-254AA
包装说明	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	35 A
最大漏源导通电阻	0.014 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	140 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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