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IRFC1Z0

产品描述Power Field-Effect Transistor, 100V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFC1Z0概述

Power Field-Effect Transistor, 100V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFC1Z0规格参数

参数名称属性值
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏源导通电阻2.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRFC1Z0相似产品对比

IRFC1Z0 IRFC060PBF IRFC060
描述 Power Field-Effect Transistor, 100V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 UNCASED CHIP, R-XUUC-N3
Reach Compliance Code unknown compliant compliant
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V 60 V 60 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XUUC-N2 R-XUUC-N3 R-XUUC-N3
元件数量 1 1 1
端子数量 2 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
是否无铅 - 不含铅 含铅
是否Rohs认证 - 符合 不符合
峰值回流温度(摄氏度) - 260 NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 - 40 NOT SPECIFIED

 
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