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SYP2112A-4

产品描述Standard SRAM, 256X4, 450ns, MOS, PDIP16
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文件大小348KB,共6页
制造商Synertek Inc
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SYP2112A-4概述

Standard SRAM, 256X4, 450ns, MOS, PDIP16

SYP2112A-4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间450 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T16
JESD-609代码e0
内存密度1024 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量16
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256X4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

SYP2112A-4相似产品对比

SYP2112A-4 SYC2112-1
描述 Standard SRAM, 256X4, 450ns, MOS, PDIP16 Standard SRAM, 256X4, 500ns, MOS, CDIP16
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 450 ns 500 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T16 R-XDIP-T16
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4
端子数量 16 16
字数 256 words 256 words
字数代码 256 256
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 256X4 256X4
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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