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PRFMB50E6

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小249KB,共4页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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PRFMB50E6概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5

PRFMB50E6规格参数

参数名称属性值
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数5
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)50 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X5
元件数量1
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)350 ns
标称接通时间 (ton)250 ns
Base Number Matches1

 
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