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K4H510438C-UCB3T

产品描述DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66
产品类别存储    存储   
文件大小370KB,共24页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准  
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K4H510438C-UCB3T概述

DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66

K4H510438C-UCB3T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G66
JESD-609代码e3
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
湿度敏感等级1
端子数量66
字数134217728 words
字数代码128000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP66,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.36 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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