Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CYM1841APZ-35C

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CYM1841APZ-35C: 产品描述SRAM Module, 256KX32, 35ns, CMOS, PZMA64, PLASTIC, ZIP-64; 产品类别存储存储; 文件大小197KB，共14页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CYM1841APZ-35C概述

SRAM Module, 256KX32, 35ns, CMOS, PZMA64, PLASTIC, ZIP-64

CYM1841APZ-35C规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	ZIP
包装说明	PLASTIC, ZIP-64
针数	64
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	35 ns
其他特性	USER CONFIGURABLE AS 256K X 32
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PZMA-T64
JESD-609代码	e0
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	64
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX32
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ZIP
封装等效代码	ZIP64/68,.1,.1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	14.478 mm
最大待机电流	0.12 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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CYM1841A

CYM1841B

CYM1841C

256K x 32 Static RAM Module

Features

• High-density 8-megabit SRAM module

• 32-bit standard footprint supports densities from 16K

x 32 through 1M x 32

• High-speed CMOS SRAMs

— Access time of 12 ns

• Low active power

— 5.3W (max.) at 25 ns

• SMD technology

• TTL-compatible inputs and outputs

• Low profile

— Max. height of 0.58 in.

• Available in ZIP, SIMM, and angled SIMM footprint

• 72-pin SIMM version compatible with 1M x 32

(CYM1851)

Reading or writing can be executed on individual bytes or any

combination of multiple bytes through proper use of selects.

Writing to each byte is accomplished when the appropriate

Chip Select (CS) and Write Enable (WE) inputs are both LOW.

Data on the Input/Output pins (I/O) is written into the memory

location specified on the address pins (A

through A

Reading the device is accomplished by taking the Chip Select

(CS) LOW while Write Enable (WE) remains HIGH. Under

these conditions, the contents of the memory location speci-

fied on the address pins will appear on the data Input/Output

pins (I/O).

The data input/output pins stay at the high-impedance state

when write enable is LOW or the appropriate chip selects are

HIGH.

Two pins (PD

and PD

) are used to identify module memory

density in applications where alternate versions of the JE-

DEC-standard modules can be interchanged.

The CYM1841A, CYM1841B, and CYM1841C are 100% pin,

package, and electrically identical. The CYM1841A utilizes

corner power and ground SRAMs, the CYM1841B utilizes

256K x 16 SRAMs, the CYM1841C utilizes center power and

ground SRAMs.

A 72-pin SIMM is offered for compatibility with the 1M x 32

CYM1851. This version is socket upgradable to the CYM1851.

Both the 64-pin and 72-pin SIMM modules are available with

either tin-lead or 10 micro-inches of gold flash on the edge

contacts.

Functional Description

The CYM1841A/B/C are high-performance 8-megabit static

RAM modules organized as 256K words by 32 bits. This mod-

ule is constructed from eight 256K x 4 SRAMs (1841A/C) or

256K x 16 SRAMs (1841B) in SOJ packages mounted on an

epoxy laminate board with pins. Four chip selects (CS

, CS

) are used to independently enable the four bytes.

Logic Block Diagram

– A

256K x 4

SRAM

256K x 4

SRAM

256K x 4

SRAM

256K x 4

SRAM

1841A–1

–

GND

OPEN (72-pin only)

I/O

– I/O

256K x 4

SRAM

I/O

– I/O

I/O

– I/O

256K x 4

SRAM

I/O

– I/O

I/O

– I/O

256K x 4

SRAM

I/O

–I/O

I/O

– I/O

256K x 4

SRAM

I/O

–I/O

Cypress Semiconductor Corporation

•

3901 North First Street

•

San Jose

•

CA 95134

•

408-943-2600

June 13, 2000

CYM1841APZ-35C相似产品对比

	CYM1841APZ-35C	CYM1841APZ-55C	CYM1841APM-25C	CYM1841APY-25C
描述	SRAM Module, 256KX32, 35ns, CMOS, PZMA64, PLASTIC, ZIP-64	SRAM Module, 1MX8, 55ns, CMOS, PZMA64	SRAM Module, 256KX32, 25ns, CMOS, PSMA64, PLASTIC, SIMM-64	SRAM Module, 256KX32, 25ns, CMOS, PSMA64, PLASTIC, SIMM-64
Reach Compliance Code	compliant	compliant	unknown	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	35 ns	55 ns	25 ns	25 ns
其他特性	USER CONFIGURABLE AS 256K X 32	CONFIGURABLE AS 256K X 32	USER CONFIGURABLE AS 256K X 32	USER CONFIGURABLE AS 256K X 32
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PZMA-T64	R-PZMA-T64	R-PSMA-N64	R-PSMA-N64
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	32	8	32	32
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	64	64	64	64
字数	262144 words	1048576 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	1000000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX32	1MX8	256KX32	256KX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ZIP	ZIP	SIMM	SIMM
封装等效代码	ZIP64/68,.1,.1	ZIP64/68,.1,.1	SSIM64	SSIM64
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	14.478 mm	14.478 mm	14.986 mm	13.335 mm
最大待机电流	0.12 A	0.12 A	0.12 A	0.12 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.96 mA	0.96 mA	0.96 mA	0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	SINGLE	SINGLE
零件包装代码	ZIP	-	SIMM	SIMM
包装说明	PLASTIC, ZIP-64	-	SIMM, SSIM64	SIMM, SSIM64
针数	64	-	64	64
JESD-609代码	e0	e0	-	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	TIN LEAD
Base Number Matches	1	1	1	-

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