电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND512R3A2BZA6F

产品描述Flash, 64MX8, 15000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
产品类别存储    存储   
文件大小952KB,共56页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
下载文档 详细参数 全文预览

NAND512R3A2BZA6F概述

Flash, 64MX8, 15000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63

NAND512R3A2BZA6F规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
针数63
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间15000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e1
长度11 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NAND TYPE
宽度9 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
Up to 1 Gbit memory array
Up to 32 Mbit spare area
Cost effective solutions for mass storage
applications
x8 or x16 bus width
Multiplexed Address/ Data
Pinout compatibility for all densities
1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
Figure 1. Packages
NAND INTERFACE
TSOP48 12 x 20mm
SUPPLY VOLTAGE
PAGE SIZE
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
x16 device: (256 + 8 spare) Words
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
x16 device: (8K + 256 spare) Words
USOP48 12 x 17 x 0.65mm
FBGA
BLOCK SIZE
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
PAGE READ / PROGRAM
Random access: 12µs (3V)/15us (1.8V)
(max)
Sequential access: 50ns (min)
Page program time: 200µs (typ)
Fast page copy without external buffering
HARDWARE DATA PROTECTION
Program/Erase locked during Power
transitions
DATA INTEGRITY
100,000 Program/Erase cycles
10 years Data Retention
Lead-Free Components are Compliant
with the RoHS Directive
Error Correction Code software and
hardware models
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
File System OS Native reference software
Hardware simulation models
1/56
COPY BACK PROGRAM MODE
FAST BLOCK ERASE
Block erase time: 2ms (Typ)
RoHS COMPLIANCE
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’
Simple interface with microcontroller
DEVELOPMENT TOOLS
SERIAL NUMBER OPTION
August 2005
无钳位电感开关 (UIS) MOS管的非钳位电感开关测试是哪里来的?
无钳位电感开关 (UIS) MOS管的非钳位电感开关测试是哪里来的? 是有什么测试标准吗? ...
小太阳yy 开关电源学习小组
正点原子的imx6ull开发板 u-boot网络连接错误 无法Ping通 ubuntu
报错一直是这样 FEC1 Waiting for PHY auto negotiation to complete......... TIMEOUT ! Using FEC1 device ARP Retry count exceeded; starting again 是因为网线的问题吗 还是因为开 ......
范德萨范德萨bgvbvb Linux开发
MOS管的SOA区域该如何理解?
MOS管的SOA区域如下,可以看到规格书中的SOA区域分为,1,2,3,4 4个部分,这个该怎么理解呢? 可以看到SOA区域是VDS电压与ID电流的曲线,在VDS比较小的时候,限制MOS管的是1 区域? 随着V ......
小太阳yy 开关电源学习小组
车灯电子EMC设计
随着车灯系统的电子设计越来越复杂,车灯电子EMC设计的要求越来越高,EMC的设计贯穿于电子电路设计,Layout布板设计,结构地系统设计,EMC电磁兼容设计理论复杂,入门较易深入较难,最后发现可 ......
火辣西米秀 汽车电子
AD9层次原理图设计
如下图,这个电路中有几个模块需要复用,但是网上推荐的 repreat()操作教程不详,所以就从DDS原理图生成了两次模块,这样的操作更新到PCB后,看到飞线是 正确的。因为用了repreat()后,找不到 ......
呜呼哀哉 模拟电子
【FireBeetle 2 ESP32 C6开发板】 4 mqtt uart透传
本帖最后由 damiaa 于 2024-5-27 21:56 编辑 【FireBeetle 2 ESP32 C6开发板】 4 mqtt uart透传 一、本实验用到esp32 的uart、 mqtt、freertos多任务和信号量。 1,首先我 ......
damiaa 无线连接

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2848  430  1117  2274  2655  53  20  48  29  8 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved