电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SKT351F10DT

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小320KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SKT351F10DT概述

Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB

SKT351F10DT规格参数

参数名称属性值
包装说明DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FAST
标称电路换相断开时间20 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率500 V/us
最大直流栅极触发电流250 mA
最大直流栅极触发电压4 V
最大维持电流400 mA
JEDEC-95代码TO-200AB
JESD-30 代码O-CEDB-N2
最大漏电流80 mA
通态非重复峰值电流6500 A
元件数量1
端子数量2
最大通态电流350000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流900 A
重复峰值关态漏电流最大值80000 µA
断态重复峰值电压1000 V
重复峰值反向电压1000 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

SKT351F10DT相似产品对比

SKT351F10DT SKT431F10DS SKT431F04DS SKT431F06DS SKT431F08DS SKT431F10DT SKT351F12DT SKT431F06DT SKT351F12DU
描述 Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB Silicon Controlled Rectifier, 1100A I(T)RMS, 430000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB Silicon Controlled Rectifier, 1100A I(T)RMS, 430000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-200AB Silicon Controlled Rectifier, 1100A I(T)RMS, 430000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200AB Silicon Controlled Rectifier, 1100A I(T)RMS, 430000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-200AB Silicon Controlled Rectifier, 1100A I(T)RMS, 430000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB Silicon Controlled Rectifier, 1100A I(T)RMS, 430000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200AB Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB
包装说明 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2 DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 FAST FAST FAST FAST FAST FAST FAST FAST FAST
标称电路换相断开时间 20 µs 15 µs 15 µs 15 µs 15 µs 20 µs 20 µs 20 µs 25 µs
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 500 V/us 500 V/us 500 V/us 500 V/us 500 V/us 500 V/us 500 V/us 500 V/us 500 V/us
最大直流栅极触发电流 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA
最大直流栅极触发电压 4 V 4 V 4 V 4 V 4 V 4 V 4 V 4 V 4 V
最大维持电流 400 mA 400 mA 400 mA 400 mA 400 mA 400 mA 400 mA 400 mA 400 mA
JEDEC-95代码 TO-200AB TO-200AB TO-200AB TO-200AB TO-200AB TO-200AB TO-200AB TO-200AB TO-200AB
JESD-30 代码 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2
最大漏电流 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA
通态非重复峰值电流 6500 A 8000 A 8000 A 8000 A 8000 A 8000 A 6500 A 8000 A 6500 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2
最大通态电流 350000 A 430000 A 430000 A 430000 A 430000 A 430000 A 350000 A 430000 A 350000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 900 A 1100 A 1100 A 1100 A 1100 A 1100 A 900 A 1100 A 900 A
重复峰值关态漏电流最大值 80000 µA 80000 µA 80000 µA 80000 µA 80000 µA 80000 µA 80000 µA 80000 µA 80000 µA
断态重复峰值电压 1000 V 1000 V 400 V 600 V 800 V 1000 V 1200 V 600 V 1200 V
重复峰值反向电压 1000 V 1000 V 400 V 600 V 800 V 1000 V 1200 V 600 V 1200 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END END END END END END END END
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 -
TMS320C5402的存储器问题
TMS320C5402共有192K bytes的可寻址存储空间。这192K bytes的存储空间分成3个独立的可选择空间,分别为: (1)64K bytes的程序存储空间; (2)64K bytes的数据存储空间; (3)64K b ......
Jacktang 微控制器 MCU
MSP430x11x1, MSP430F21x1官方示例代码
附件中代码是TI提供的 MSP430x11x1, MSP430F21x1示例代码,可以作为MSP430使用过程中最可靠的代码参考 本帖最后由 wstt 于 2012-5-31 20:16 编辑 ]...
wstt 微控制器 MCU
万利LPC54102开发板的uCGUI移植
本帖最后由 mars4zhu 于 2015-4-14 07:55 编辑 万利LPC54102开发板的UCGUI移植1、底层硬件与驱动代码万利的LPC54102开发板带有一个320*240的TFT彩屏,使用ILI9341驱动。ILI9341与MCU通过3线S ......
mars4zhu NXP MCU
【转】树莓派2 安装 OpenELEC
在下的树莓派2终于到货了,小巧的身材及超低的功耗,配合 OpenELEC 成为家庭高清播放机及简易 NAS 的不错选择。本文将简述折腾经历。 安装 OpenELEC 基于 Kodi 且适用于树莓派的 Linux 发 ......
azhiking 嵌入式系统
专科怎么那么少题的?
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:17 编辑 听说专科就2题 怎么那么少的 ...
220314 电子竞赛
求VB6.0可以下载到家用电脑上吗?
求VB6.0可以下载到家用电脑上吗?...
neil.wang 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 731  759  900  2075  1245  15  16  19  42  26 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved