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SNGD20620

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, TO-254, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小21KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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SNGD20620概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

SNGD20620规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-254AA
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

SNGD20620相似产品对比

SNGD20620 SNGD20640 SNGD20648A SNGD20620A
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, TO-254, 3 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, TO-258, 3 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, TO-258, 3 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, TO-254, 3 PIN
零件包装代码 TO-254AA TO-258AA TO-258AA TO-254AA
包装说明 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 20 A 40 A 48 A 20 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-258AA TO-258AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 S-MSFM-P3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON

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