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GS8160E36DGT-200T

产品描述Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小355KB,共24页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8160E36DGT-200T概述

Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

GS8160E36DGT-200T规格参数

参数名称属性值
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间6.5 ns
其他特性ALSO OPERATES AT 2.5V
JESD-30 代码R-PQFP-G100
长度20 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm
Base Number Matches1
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